第2章 电源电路常用电子元器件与特性.pptVIP

第2章 电源电路常用电子元器件与特性 §2.1双极型晶体管 §2.1.1 双极型晶体管（BJT）的特性 2.1.2 双极性开关晶体管的基极驱动电路 §2.1.6 双极型开关晶体管的保护电路 §2.1.7 开关电源用功率晶体管的选用 耐压足够高 饱和导通压降小 集电极电流足够大 功耗及开关损耗小 存储时间短 增益适中 温度稳定性号 §2.2 大功率晶体管GTR §2.2.1 功率晶体管的结构和原理 §2.2.2 功率晶体管的开关特性 §2.5 光电耦合器 §2.5.1 光电耦合器的原理 §2.5.2 光电耦合器的主要参数与选用 §2.6 低压差线性稳压器（LDO） §2.6.1 常规线性稳压器的问题 一般调整管的压降最小取4V，效率低。 §2.6.3 LDO的保护方式 §2.7 精密电压基准TL431 §2.7.1 TL431的工作原理 §2.7.2 TL431的主要特性 §2.8 开关电源中的磁性元件 §2.8.1 磁性元件的功能： §2.8.2 磁性材料的基本概念 §2.8.3 磁芯电感的相关概念 §2.8.4 磁芯材料及其特性 2、PFC电感：流过基波电流和开关谐波电流，抗饱和性能高、高频损耗小。 3、直流滤波电感：流过负载直流电流和微小的纹波电流，抗饱和性能高。 §2.8 电容器 * 本章内容： 2.1 双极型晶体管 2.2 大功率晶体管 2.3 功率MOSFET管与栅极驱动电路 2.4 绝缘栅双极型晶体管（IGBT） 2.5 光电耦合器 2.6 低压差线性稳压器 2.7 TL431的主要特性与应用 2.8 开关电源中的磁性元件 2.9 电容器 双极型晶体管做开关使用时，交替地工作于截止区和饱和区。 1，尽可能小的导通时间 2，导通状态时的管电压降尽可能小，但不应进入深度饱和状态； ３,截止时应能承受尽可能高的关断电压； ４,允许出现过载甚至短路而不造成损坏。 §2.1.3 几种常见开关晶体管基极驱动加速电路 §2.1.4 双极型开关晶体管的抗饱和电路 §2.1.5 双极型晶体管的二次击穿和安全工作区 电流传输比： 50~200% §2.6.2 低压差稳压技术 调整管采用导通电阻极低的MOSFET,压降最小可取0.5V。加上检测、反馈精密基准、保护等电路，集成在一起。 1、动态输出阻抗：0.2 ? 2、电压稳定度：0.5～2％ 3、输出电压范围：2.5～36V 电气隔离 变压 变流 储能、滤波、尖峰抑制。 1、磁场强度H：磁场强弱和方向的物理量，单位A/m 2、磁感应强度（磁通密度）B：单位面积上的磁通量，表示磁力的大小，单位T 3、相对导磁率 单位场强下的磁通密度。 4、饱和磁密BS：BH曲线上平顶断。 所以，磁路长度越大，电感量越小，（相对）导磁率越高，电感量越大，磁芯截面积越大，电感量越大。 1、磁心电感量 相当于磁路的串联 由于 lA虽小于lF，但数量级相当，所以， 结论：①其它参数不变，增加气隙使磁芯电感的电感量大大下降；②磁芯电感的电感量基本取决于气隙，与气隙长度成反比。 2、磁心＋气隙（air gap）电感量： 1、铁氧体：铁氧体是一种具有铁磁性的金属氧化物烧结而成，电阻率高，导磁系数大，但饱和磁密不高。适合于高频变压器、电感。 2、非晶态：电阻率高，导磁系数大，饱和磁密高。适合于高、低频变压器、电感，但成本较高。 §2.8.5 开关电源中磁芯材料的选用 1、输入EMI滤波器：共模干扰：在两输入线上同相位同幅度的干扰。差模干扰：两输入线上同幅但反相的干扰。 共模干扰抑制电感阻止共模信号产生线路电流，但对传输信号无阻碍作用，所以双线并绕。 差模电感阻止差模干扰电流，但对传输信号无阻碍作用，所以两个独立电感，流过主电流，防止饱和，电感量较小。