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电子技术 总学时：80课时（其中16学时为实验学时） 前导课程：数学、物理、电路 两大部分：模拟电子技术 数字电子技术 主要教学目的：使学生掌握基本的电子学知识，使得医务工作者在使用电子检测、治疗仪器仪表及科研活动中具备基本的电子学基础， 同时也能使医务人员与电子技术工程人员协作时有共同语言。 模拟电子技术 教材：《模拟电子技术实用教程》 参考书 1.《模拟电子技术基础》 (第三版 ，童诗白) 2.《电子线路》（线性部分）(第四版 ，谢嘉奎) 3.《电子电路》 (第二版 ，张凤言） 4.《模拟集成电子技术教程》 (邓汉馨) 5. 高教出版 康华光:电子技术基础(模拟部分) PN结具有单向导电性： 正偏时，正向电阻较小，能形成较大的正向电流 反偏时，反向电阻很大，反向电流很小。 反向电压超过一定数值后，反向电流急剧增加，PN结发生反向击穿现象。 知识回顾 半导体二极管 在发射结正偏、集电结反偏条件下，发射区注入到基区的载流子大部分被集电区收集，形成集电极电流Ic，一小部分在基区复合，形成基极电流Ib。 三极管可看成一个电流分配器，将发射极电流按一定比例分配到集电极和基极。 将基尔霍夫电流定律应用于PNP或NPN管可以得出：发射极电流Ie等于集电极电流Ic和基极电流Ib之和，即： Ie= Ic+ Ib。一般近似认为Ie=Ic。 知识回顾 双极型半导体三极管的电流关系 (1)三种组态 双极型三极管有三个电极，其中两个可以作为输入, 两个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态。 双极型半导体三极管的特性曲线 共发射极接法的输出特性曲线如图所示，它是以iB为参变量的一族特性曲线。 分析简单稳压电路的工作原理，R 为限流电阻。 IR = IZ + IL UO= UI – IR R 当 UI 波动时(RL不变) ? ? ? 反之亦然 当 RL 变化时(UI 不变) 反之亦然 UI UO R RL IL IR IZ 发光二极管与光敏二极管 发光二极管 LED (Light Emitting Diode) 符号和特性 工作条件：正向偏置 一般工作电流几十 mA， 导通电压 (1 ? 2) V 发光类型： 可见光： 红、黄、绿 显示类型： 普通 LED ， 不可见光：红外光 ，点阵 LED 符号 七段 LED 1. 将电信号转化为光信号，进行信号传输 2. 做显示器件 光敏二极管 符号和特性 符号 特性：反向电流随光照强度增加而上升 u i O 暗电流 E = 200 lx E = 400 lx 工作条件： 反向偏置 将光信号转化为电信号 1、结构、符号和分类 N N+ P 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 — 基区 — 发射区 — 集电区 emitter base collector NPN 型 P P+ N E B C PNP 型 分类： 按材料分： 硅管、锗管 按结构分： NPN、 PNP 按使用频率分： 低频管、高频管 按功率分： 小功率管 500 mW 中功率管 0.5 ?1 W 大功率管 1 W E C B E C B 半导体三极管 2、晶体三极管的工作原理（起放大作用的器件） 半导体三极管 ? 发射区的掺杂浓度最高； ? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图 2.1 结构特点： 2.1 双极型三极管 2.2 电流放大原理 （1）电流放大的原因 三极管的放大作用在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来 内部条件：内部结构上的特点 外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基 区：传送和控制载流子 （以NPN为例） 1.半导体二极管由一个PN结构成，因此也具有单向导 电性，在其伏安特性曲线上体现非常明显（伏安 特性曲线分为正向和反向两部分）。 2.稳压管利用的是二极管的反向击穿特性，工作在反向 工作区，正常工作时需反向偏置。 3.晶体三极管由两个PN结（发射结和集电结）组成，有 NPN和PNP两种类型。三极管有基极（b),发