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多晶硅高压启动系统培训资料

四川英杰电气有限公司 多晶硅高压启动系统 系统概况 系统概况 基本控制原理图 高压启动电源 高压维持电源 高压启动系统 启动 击穿 维持 还原 高压启动过程 高压启动过程 采用4台高压启动电源柜(1HG- 4HG)、3台高压维持电源柜(1WG- 3WG)对12对硅芯进行击穿、维持。 第一步,4台高压启动电源分时或同时将内圈(NR)的4对硅芯击穿,待4对硅芯击穿后,加热数秒,转换到高压维持电源(3WG), NR 4对硅芯串联加热。 第二步,4台高压启动电源对外圈1(W1)的4对硅芯击穿,击穿后由1WG高压维持电源加热。 第三步,4台高压启动电源对外圈2(W2)的4对硅芯击穿,击穿后由2WG高压维持电源加热。 第四步,根据工艺要求,1WG-3WG高压维持电源对硅芯(12对)加热一定时间后,断开QHG-II、GLG-II接地接触器,闭合GLG-II,就切换到还原电源系统工作。 本炉启动完毕断GLG-I,启动下一台还原炉。 英杰电气 英杰电气 12对棒多晶硅还原炉中,每4对硅棒为1组,一共分为3组,分别是:内圈(C相),外圈1(B相),外圈2(A相)。 高压启动电源系统由4个相同的高压启动电源柜(1HG、2HG、3HG、4HG),3个维持电源柜(1WG、2WG、3WG)组成。每套启动电源启动8台还原炉,每台还原炉应配切换柜和隔离柜。 每套系统有一台PLC控制柜,对高压启动电源柜、高压维持电源柜、切换柜和隔离柜进行起停控制以及与DCS柜通信,可由DCS柜控制高压启动系统。 HYPLC控制高压启动电源、高压维持电源、切换开关和隔离开关。 DCS控制HYPLC、还原电源柜和主变开关柜。 高压启动原理 一台高压启动电源击穿NR、W1或W2中的一对(1#、2#、3#或4#)硅芯,四台高压启动电源分别对应4对硅芯。 高压维持原理 一台高压维持电源对NR、W1或W2中的一组进行高压维持加热。 注意:在高压启动前,应保证GLG-II断开、接地接触器闭合。 合KM1 合KM1 合KM1 合KM1 击穿R1 击穿R3 击穿R2 击穿R4 分 GLG-II 合KM1接地 合GLG-I 合 QHG-II 高压启动步骤 2HG 1HG 3HG 4HG 1-4HG .KM1已击穿NR 合KM1 维持NR 1-4HG .KM2已击穿W1 1-4HG .KM2已击穿W2 合KM1 维持W1 合KM1 维持W2 2WG 1WG 3WG GLG-I断开 QHG-II断开 GLG-II闭合 接触器断开 高压维持步骤 NR达到工艺要求 W1达到工艺要求 W2达到工艺要求 还原电源开始工作 还原电源 停1-4HG .KM1 停1-4HG .KM2 停1-4HG .KM3 4HG 3HG 2HG 1HG 4台高压启动电源可同时或分时投入,击穿4对硅芯。 WG 一组硅芯的击穿过程 结束! 英杰电气

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