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手机射频主芯片的发展趋势 射频方案 ADI Othello ADI Othello one ADI Othello TV TI Pascal TI Rita Skyworks 74073 单片射频模块 接收机体制 零中频 零中频 零中频 超外差 零中频 零中频 频段 双频段 三频段 四频段 双频段 3个LNA（号称4频段） 双频段 内置VCO 本振的RF VCO和发射的VCO均外接 本振的RFVCO和发射的VCO均外接 是 本振的RF/IF VCO集成在主芯片内，发射的外接 是 是 内置LDO 否 ? ?是 否 是 否 内置功率控制环路 否 是 ? 否 是 是 是 是 接收机的主要技术指标 1.灵敏度 是指接收机在满足一定误码率性能条件下接收机需输入的最小信号电平。参考灵敏度电平≤-102dBm （GSM900/GSM1800） 2.阻塞和杂散响应 指在非杂散相应或邻频道的频率上，存在一个强无用信号的情况下，接收机接收有用的信号时，其性能不低于给定指标的能力。 发射机的主要技术指标 输出射频频谱 是由于调制和功率切换等原因由MS在标称载频的邻近边带上产生的射频频谱，它包括调制频谱和切换瞬态频谱。 GSM TDMA 功率包络 GSM手机主要射频器件 GSM手机主要器件介绍 主要器件 前端开关（ASM/FEM） 收发芯片（Transceiver） 压控振荡器（VCO） 锁相频率合成器 压控温补晶体振荡器（VCTCXO） 功率放大器（PA） 前端开关（ASM/FEM） 集成了一个双工器+两个T/R开关+两个低通滤波器，类似于一个集成的单刀四掷开关，分别在GSM的收发之间和DCS的收发之间进行转换。它可以加大功放的工作时隙和非工作时隙之间的隔离。 通常FEM还包括两个SAW滤波器。 前端开关（ASM/FEM） FEM内部照片 射频主芯片（ Transceiver ） 射频主芯片通常包括以下部分： 频率合成器（通常是分数分频） 接收机（目前零中频最流行） OPLL发射通道 内置VCO Pascal 超外差射频方案 Othello 零中频方案 Othello one TV零中频方案 Aero I近零中频射频方案 射频功率放大器模块 功率检测性PA模块 功率控制精度高 功率包络较难控制 驻波对输出功率有影响 射频功率放大器模块 电流检测型 功率包络难控制 输出功率受驻波影响最大 工作电流受驻波影响最小 射频功率放大器模块 电压控制型 功率包络容易控制 输出功率受驻波影响最小 工作电流受驻波影响大 射频功率放大器模块 电压控制型PA 参考晶振和自动频率控制 GSM手机的参考频率通常用一个13 MHz（或26MHz）的本地的温补压控(VC-TCXO)晶振。一个AFC信号用来调整VC-TCXO的频率。射频模块还提供一个13 MHz的模拟参考时钟到基带子系统。 GSM手机通过接收FCCH的广播信号，来调整AFC，使参考频率的精度达到0.1ppm。 Parameter Comments Min Typ Max Unit frequency 26 MHz Frequency tolerance ±2.5 ppm Frequency stability vs. temperature vs. load vs. supply voltage -30 °C ≤ TC ≤ +80 °C 40 pF ± 10%, 10 kΩ ±10% 2.8 V ± 5% ±2.0 ±0.2 ±0.3 ppm ppm ppm Frequency aging rate TC = 25 ± 5 °C ±0.7 ppm/yr Frequency stability slope -30 °C ≤ TC ≤ -10 °C -10 °C ≤ TC ≤ +60 °C +60 °C ≤ TC ≤ +80 °C ±0.3 ±0.15 ±0.3 ppm ppm ppm Tuning voltage 0.5 1.5 2.5 V Tuning sensitivity 0.4 ≤Vtune ≤ 2.4 V 105.6 230.4 Hz/V 参考晶振和自动频率控制 参考晶振和自动频率控制 DCXO 通常在射频主 芯片内建振荡 电路，外接晶 体即可工作。 成本低 RF模块 手机主板 HDI工艺 手机PCB板通常采用HDI工艺(High Density Interconnection) HDI主要特点： 直径0.15mm以下的激光微孔 积层层压多层板 有两种介质RCC和FR4 布线