非桥氧空穴发光中心对铁钝化多孔硅光致发光的影响-发光学报.pdfVIP

第35卷摇 第12期 发摇 光摇 学摇 报 Vol郾35 No郾12 2014年12月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE Dec. ,2014 文章编号:1000鄄7032(2014)12鄄1427鄄05 非桥氧空穴发光中心对铁钝化多孔硅光致发光的影响 1* 2 1 陈景东 ,张摇 婷 ,方玉宏 (1. 闽南师范大学 物理与信息工程学院,福建 漳州摇 363000;摇 2. 闽南师范大学 化学与环境学院,福建 漳州摇 363000) 摘要:采用水热腐蚀法制备了铁钝化多孔硅样品,样品光致发光谱的荧光峰位于2.0 eV 附近,半峰宽约为 0.40 eV。 激发波长从240 nm增大到440 nm 的过程中,荧光峰先红移再蓝移,最后基本稳定,变化曲线呈勺 型。 通过分析15片发光多孔硅样品的统计结果,发现荧光峰逆转所对应的激发波长位于330 nm 附近,相应 以 尹 以 尹 的激发光子能量约为3.8 eV。 样品光致发光谱随激发波长的勺型变化过程与 Si—O 和 Si—O …H— 以 O—Si 两类非桥氧空穴发光中心共同作用时的发光行为一致。 关摇 键摇 词:多孔硅;铁钝化;光致发光;非桥氧空穴;水热腐蚀 中图分类号:O482.31摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 DOI:10.3788/ fgx1427 Effect of Non鄄bridging Oxygen Hole Luminescence Center on Photoluminescence of Iron鄄passivated Porous Silicon 1* 2 1 CHENJing鄄dong ,ZHANGTing ,FANG Yu鄄hong (1. College of Physics and Information Engineering,Minnan Normal University,Zhangzhou363000,China; 2. College of Chemistry and Environment,Minnan Normal University,Zhangzhou363000,China) *Corresponding Author,E鄄mail:jdchen@mnnu.edu.cn Abstract:Hydrothermaletchingmethodwasemployedtoprepareiron鄄passivatedporoussilicon (IP鄄 Si) sampleswith peak energy around2.0 eV and FWHMof0.40 eV. Asthe excitationwavelength increasesfrom240 to440 nm,thepeakenergy of photoluminescencered鄄shiftsfirst,andthenblue鄄 shifts beforeitreachesaconstant energy. Thechanging curvedemonstratesa spoon鄄likepattern. By analyzing the statistics resultsfrom 15 IP鄄Si samples,it is found that the turnover excitation wave鄄 length corresponding to the peak