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ZnO压敏电阻器产品介绍

興勤電子工業股份有限公司 * THINKING ELECTRONIC INDUSTRIAL CO., LTD. ZnO壓敏電阻器產品介紹 2006/02/16 Marketing Dept. 1. 壓敏電阻器概述 2. 壓敏電阻器基本特性 大綱 3. 壓敏電阻器種類 4. 壓敏電阻器結構與製程 5. 壓敏電阻器電性參數 6. 壓敏電阻器選用與應用 7. TKS 壓敏電阻器產品品質測試 8. TKS壓敏電阻器RD Roadmap 1. 壓敏電阻器產品概述 ﹕ ? 壓敏電阻器(Varistor)是由 Variable Resistor 兩字合併而來,是一種因外加電壓的改變,而呈非線性指數電阻變化的電阻體(亦別名「非線性電阻體﹞),不僅可穩定電壓,也由於具有吸收突波的功能,因此俗稱突波吸收器(Surge Absorber)。 I V (b) (b) (c) (c) ( a ):SiC Varistor ( c ) :ZnO Varistor ( b ):Si Zener Diode (a) (a) ( d ) ( d ) ( d ) :Linear Resistor 2.1 壓敏電阻器基本特性﹕ ? 當外加電壓在臨界值以上,其電阻值隨電壓升高而急速下降,以便於大電流通過。換言之,壓敏電阻器在臨界電壓以下時,電阻值很高,能阻止電流通過,表現出絕緣體的特性。 Circuit to be Protected Normal State Circuit to be Protected Overvoltage State Overvoltages occur 可分辨穩定電路電壓或突波, 只在突波電壓發生時才進行運作 (3) 需耐得住反覆所施加的突波電壓 (2) 吸收突波後,即恢復吸收突波前的預備狀態 2.2 SMD 型壓敏電阻器微觀結構﹕ 理想ZnO變阻器的微觀結構 晶界層: ?高密度的深陷能—高電阻。 ?厚度均勻性。 ?熱穩定。 尖晶石結構: 無必要關係。 ZnO晶粒: ?表面處具有高電阻係數 —Leakage電流小。 ?本體內具有低電阻係數 —可通過大電流。 ?均勻的晶粒大小, 使生坯緻密, 突波耐量性佳。 Grain Boundary V I 2.3 壓敏電阻器 V-I 特性曲線﹕ Voltage (V) I=KV ? 1000 500 100 50 20 10 NORMAL OPERATION LEAKAGE REGION UPTURN REGION 10-8 10-6 10-4 10-2 100 102 104 Current (A) 3. 壓敏電阻器種類介紹﹕ SMD 型 (表面黏著) Disk 型 (穿孔式插件) 陶瓷體 ( 97%ZnO 、 Bi 、 Mn、Co、Ni…..Oxide) 本體元件 (Element) ? 鍍錫銅線 (Tinned Copper Wire) 引腳 (Lead) ? 銀 (Ag) 電極層 (Electrode) ? Silicon / Epoxy 樹脂 (Silicon Resin ) 保護層 (Coating) ? 材質 部位 NO 4.1.1 DISC 型壓敏電阻器結構 ? ? ? ? 4.1.2 DISC型壓敏電阻器製作流程 配 料 噴 霧 造 粒 成 型 加 水 滾 料 排 膠 燒 結 印 刷 導 線 成 型 插 入 焊 接 塗 裝 打 印 精 選 M A R K M 包 裝 : 表 連 線 作 業 M A R K M A R K 4.2.1 SMD 型壓敏電阻器結構 NO. Component Material 1 Element 97%ZnO+BiO3+Co2O3+MnO2+NiO??? 2 Base electrode Ag / Pd 3 Outer electrode Ag / Ni / Sn ? ? ? 滾料 薄帶成型 薄帶分離 堆疊 冷均壓 印刷 切粒 端電極 燒銀 電鍍 測試 包裝 燒結 4.2.2 SMD型壓敏電阻器製作流程 5.1 壓敏電阻器目錄 5.2 壓敏電阻器電性參數 ( 1 )壓敏電壓(V1mA):特定的電流(1mA DC)流經壓敏電阻器時,兩端所量 得之電壓值。 ( 2 )

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