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年产7.6 亿只功率半导体元器件及其他电子器件项目
目 录
1 建设项目概况 1
1.1 项目由来1
1.2 建设项目名称、项目性质、建设地点及投资总额1
1.3 职工人数、生产时间、占地面积及厂区平面布置1
1.4 项目主要内容及产品方案1
1.5 工程构成2
1.6 产业政策3
1.7 区域规划3
2 工程分析 5
2.1 生产工艺流程5
2.2 原辅材料8
2.3 主要生产设备11
2.4 公用工程12
2.5 水平衡15
2.6 建设项目污染物产生及排放情况16
3 污染防治措施评述 25
3.1 大气污染防治措施25
3.2 水污染防治措施31
3.3 噪声污染防治措施40
3.4 固废污染防治措施41
3.5 建设项目“三同时“验收一览表44
1
年产7.6 亿只功率半导体元器件及其他电子器件项目
1 建设项目概况
1.1 项目由来
英飞凌半导体(无锡)有限公司位于无锡高新区综合保税区 B 区行创
三路 5-6 号厂房,租用英飞凌科技(无锡)有限公司闲置厂房,占地面积
2
12760 平方米,建筑面积23450m ,投资29950 万美元,新建年产7.6 亿只
功率半导体元器件及其他电子器件项目,项目预计2017 年12 月建成投产。
1.2 建设项目名称、项目性质、建设地点及投资总额
项目名称:年产7.6 亿只功率半导体元器件及其他电子器件项目;
建设单位:英飞凌半导体(无锡)有限公司;
项目性质:新建;
行业类别:电力电子元器件制造[C3824];
建设地点:无锡高新区综合保税区B 区行创三路5-6 号厂房;
投资总额:29950 万美元,其中环保投资250 万元,占总投资额的0.14%;
投产日期:2017 年12 月。
1.3 职工人数、生产时间、占地面积及厂区平面布置
(1)职工人数:建设项目职工定员1800 人;
(2)工作时间:单班制,年工作日350 天,两班制,每班工作12h,
年工作时间按8400 小时计;
2
(3)占地面积:12760m ,其中绿化面积依托租赁方现有绿化;
(4)厂区平面布置:建设项目厂区平面布置见附图三;
(5)生产规模:建设项目年产7.6 亿只功率半导体元器件及其他电子
器件。
1.4 项目主要内容及产品方案
建设项目从事功率半导体元器件及其他电子器件的生产,建设项目产
品方案见表1-1。
1
年产7.6 亿只功率半导体元器件及其他电子器件项目
表1-1 建设项目产品方案表
工程名称(车间、生产装 设计能力(只/ 年运行时
产品名称及规格
置或生产线) 年) 数(h)
功率半导体元器件及其 功率半导体元器件及其他
7.6 亿 8400
他电子器件生产线 电子器件
1.5 工程构成
建设项目公用及辅助工程构成见表1-2。
表1-2 建设项目公用及辅助工程
类别 建设名称 设计能力 备注
原料仓库
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