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2017-11-08 发布于江苏
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忽略了两个因素引线电阻

两引线测电阻 V R I 忽略了两个因素：引线电阻接触电阻 •附加的电阻 •非本征I-V 特性 •非本征温度关系接触电阻的两个来源：势垒层接触面收缩金属－金属接触电阻金属表面氧化速度单位（原子层）室温空气环境金属－金属接触电阻的大小设氧化层厚度 4nm 电极面积 100X100nm2 接触电阻～100 k 金属－半导体接触电阻 Pb-pSi势垒I-V 特性金属－半导体势垒高度 C.Nuhoglu et al, Appl.Surf.Sci.,250,203(2005) Au(Ti)-SCNT contact dI (V ,T )  eV T F( ) dV k T B Th.Hunger et al, Phys. Rev.B69, 195406(2004) 接触势垒的贡献（？） Kelvin 四引线法测量电阻 R R in subject 伪四引线法四引线电阻测量实际上是个比较器 V R sub . R subject st . V st . 测量精度取决于：比较电阻的稳定性和噪声(0.5-2 ppm/C) 基准电压的稳定性和噪声 (~5 ppm/C,10-20 nV/ √Hz) 电流的稳定性和噪声电压表的灵敏度、分辨率、线性度、稳定性、和噪声 Wheatstone 电桥（Samuel Hunter Christie