周鑫()光电传感器实验论文.docVIP

DH-SJ3光电传感器物理设计性实验 周鑫（1142032033） 学院：化学学院 电话邮箱：zhouxin735914331@163.com 摘要：光电传感器在生活中有非常广泛的应用，在社会中发挥越来越重要的作用。通过测量光敏电阻、光敏二极管、硅光电池、光敏三极管的基本特性，伏安特性曲线和光照特性曲线，从而了解其作用以及应用前景。 关键词：光电传感器、伏安特性、光照特性。 DH-SJ3 Photoelectric Sensor （Chemistry Academy ,Zhou Xin，1142032033 Tel e-mail：zhouxin735914331@163.com） Abstract：Photoelectric sensors have a very wide range applications in the life，and they play a more and more important role In society. By measuring the basic characteristics and I-V characteristics and photosensitive characteristics of photoresistance、photosensitive diode 、silicon photoelectric generator and photistor ,then we can know the abilities and the perspective of Photoelectric Sensor. Key Words: photoresistance 、photosensitive diode 、silicon photoelectric generator 、photistor 引言：光敏传感器是将光信号转换为电信号的传感器，也称为光电式传感器，它可用于检测直接引起光强度变化的非电量，如光强、光照度、辐射测温、气体成分分析等；也可用来检测能转换成光量变化的其它非电量，如零件直径、表面粗糙度、位移、速度、加速度及物体形状、工作状态识别等。 光敏传感器具有非；接触、响应快、性能可靠等特点。光敏传感器的物理基础是光电效应，即光敏材料的电学特性都因受到光的照射而发生变化。光电效应通常分为外光电效应和内光电效应两大类。外光电效应是指在光照射下，电子逸出物体表面的外发射的现象，也称光电发射效应，基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。内光电效应是指入射的光强改变物质导电率的物理现象，称为光 电导效应。 光敏传感器的基本特性及实验原理 1、伏安特性 光敏传感器在一定的入射光强照度下，光敏元件的电流I与所加电压U之间的关系称为光敏器件的伏安特性。改变照度则可以得到一组伏安特性曲线，它是传感器应用设计时选择电参数的重要依据。 2、光照特性 光敏传感器的光谱灵敏度与入射光强之间的关系称为光照特性，有时光敏传感器的输出电压或电流与入射光强之间的关系也称为光照特性，它也是光敏传感器应用设计时选择参数的重要依据之一。 三、实验仪器 DH-SJ3光电传感器设计实验仪由下列部分组成：光敏电阻板、硅光电池板、光敏二极管板、光敏三极管板、红光发射管LED3、接受管（包括PHD 101光电二极管和PHT 101光电三极管）、Ф2.2和Ф2光纤、光纤座、测试架、DH-VC3直流恒压源、九孔板、万用表、电阻元件盒以及转接盒等组成。 实验时，测试架中的光源电源插孔以及传感器插孔均通过转接盒与九孔板相连，其它连接都在九孔板中实现；测试架中可以更换传感器板。 图9 DH-VC3直流恒压源面板图 图10-1 转接盒 图10-2 发射管 图10-3 接收管 图10-4 接收管 图10-5 电阻盒1kΩ 图10-6 电阻盒1kΩ 图10-7 电阻盒470Ω 图10-8 电阻盒10Ω 图10-9 电阻盒4.7KΩ 图10-10 电阻盒47Ω 图10-11 电容盒1uF 图10-18 光敏电阻板 图10-19 硅光电池板 图10-20光敏二极管板 图10-21光敏三极管板 图10-22 九孔板