半导体器件物理课件2.pdf

下载文档 降价啦

7
0
约13.62万字
约 151页
2017-10-07 发布于湖北
举报
版权申诉
保障服务

半导体器件物理课件2.pdf

1、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

半导体器件物理课件2

第二章：半导体器件物理基础 • 晶体及掺杂 • 电子态、能带 • 平衡载流子 • 电导率 • 非平衡统计 • 结、P-N 结 • MOS C-V P.-F. Wang, Ting-Ao Tang Advanced semiconductor devices and physics 2012.09 Fudan University 第二章：半导体器件物理基础 • 晶体及掺杂重点： • 电子态、能带 1. 能带的形成，能带中各个带的含义 2. 费米能级 • 平衡载流子 3. 掺杂浓度激活 4. 玻尔兹曼分布统计与费米分布统计 • 电导率的区别及适用 • 非平衡统计 • 结、P-N 结 • MOS C-V P.-F. Wang, Ting-Ao Tang Advanced semiconductor devices and physics 2012.09 Fudan University 如何理解MOSFET的工作原理 MOSFET MOSFET:势垒图 source drain gate channel Gate length 1. 介于左右两端接触有一势垒导致无电流通过 2. 栅极上加电压，通过电容感应，改变势垒高度电流可以通过如何形成势垒？如何通过栅极调节势垒？接下来我们将探究半导体器件的基本物理原理 P.-F. Wang, Ting-Ao Tang Advanced semiconductor devices and physics 2012.09 Fudan University 第二章：半导体器件物理基础 • 晶体及掺杂 • 电子态、能带 • 平衡载流子 • 电导率 • 非平衡统计 • 结、P-N 结 • MOS C-V P.-F. Wang, Ting-Ao Tang Advanced semiconductor devices and physics 2012.09 Fudan University 在芯片制造中的应用：单晶硅衬底绝大多数芯片使用了单晶硅衬底 Si crystal (100) oxide p-Si Starting with n,p-dop