切割机测试报告-成功大学微奈米科技研究中心!!.DOCVIP

切 割 機 測 試 報 告 Wafer Cutting 切割機參數測定 目的 ： 1.減少切割刀使用之磨耗。 2.增進切割機使用效率。測定的材料： 預切割之試片為Glass ( 8 x 3 mm)；Si wafer為4 inch diameter。實 作 程 序 1.進行切割機可靠度測試(以定出安全操作之參數)。 2.進行切割機之－轉速－磨耗測試。 3.進行切割機－速率－磨耗測試。 4.進行切割機－切割深度－磨耗測試。 測試結果： 1.切割機之－轉速－磨耗測試。 A：測試條件：切割長度；Glass?：150? mm? (載玻片) 轉速 25000/min 30000/min 35000/min 40000/min 磨耗量(mm) 0.065 0.0065 0.0019 0.0047 切割每公分磨耗量(mm/cm） 4.33×10-3 4.33×10-4 1.27×10-4 3.13×10-4 B：測試條件：切割長度；Si：340?mm?((100)wafer) 轉速 25000/min 30000/min 35000/min 40000/min 磨耗量(mm) 0.0025 0.00147 0.0016 0.0004 切割每公分磨耗量(mm/cm） 7.35×10-5 4.32×10-5 4.7×10-5 1.18×10-5 2.切割機之－速率－磨耗測試。 A：測試條件：進刀速度；Glass?：150? mm? (載玻片) 進刀速度 1 mm/s 2 mm/s 3 mm/s 4 mm/s 磨耗量(mm) 0.00155 0.00185 0.0034 0.0044 切割每公分磨耗量(mm/cm） 1.03×10-4 1.23×10-4 2.27×10-4 2.93×10-4 B：測試條件：進刀速度；Si：340?mm?((100)wafer) 進刀速度 3 mm/s 5 mm/s 7 mm/s 9 mm/s 磨耗量(mm) 0.00210 0.0147 0.0226 0.0311 切割每公分磨耗量(mm/cm） 2.96×10-6 2.07×10-5 3.18×10-4 4. 38×10-5 3.切割機之－切割深度－磨耗測試。 A：測試條件：切割深度；Glass?：150? mm? (載玻片) 切割深度 0.3 mm 0.5mm 0.7mm 磨耗量(mm) 0.0055 0.0085 0.0135 切割每公分磨耗量 (mm/cm） 3.67×10-5 5.66×10-5 9.0×10-5 B：測試條件：切割深度；Si：340?mm?((100)wafer) 切割深度 0.3 mm 04.mm 0.5mm 磨耗量(mm) 0.00075 0.001 0.0011 切割每公分磨耗量 (mm/cm） 2.21×10-5 2.94×10-5 3.23×10-5 測定結果分析： 1.切割機之－轉速－磨耗測試。 轉速對於基材Glass與Si Wafer而言，30000~40000轉範圍內對磨耗影響不大且實驗進行測試數據穩定，所以建議參數為使用之參數範圍。 轉速 (rpm/min) 10000 25000 30000 35000 40000 使用 不可 可 可 可 可 備註 無法運作 磨耗較多 磨耗正常 磨耗正常 磨耗正常 2.切割機之－速率－磨耗測試。 Glass＝＞建議參數範圍2～3 mm/s，此範圍內對磨耗影響不大，且實驗測試數據穩定。 進刀速度 mm/s 1 2 3 4 使用 可 可 可 不可 備註 磨耗較少但時間太長 磨耗正常 磨耗正常 磨耗較多及不穩定 Si wafer＝＞建議參數範圍～7 mm/s，此範圍內對磨耗影響不大，且實驗測試數據穩定。 進刀速度 mm/s 3 5 7 9 使用 可 可 可 不可 備註 磨耗最少但時間較長 磨耗正常 磨耗正常但磨耗量較多 磨耗較多及不穩定 3.切割機之－切割深度－磨耗測試。 Glass＝＞建議參數範圍為0.5 mm/s，此參數穩定且磨耗正常。 切割深度 （mm） 0.3 0.5 0.7 使用 可 可 不可 備註 磨耗較少但切割次數與時間時間太長 磨耗正常 磨耗較多及不穩定 Si wafer＝＞建議參數為0.5 mm/s，此參數穩定、磨耗正常且切割時間較短。 切割深度 （mm） 0.3 0.4 0.5 使用 可 可 可 備註 磨耗較少但切割次數與時間太長 磨耗正常但切割次數與時間太長 磨耗正常 結論： 2.進行切割機速率－磨耗測試中隨著切割速度的增加Glass與Si wafer的磨耗也隨之增加。 3.進行切割機切割深度－磨耗測試中隨著切割深度的增加Gl