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2017-10-06 发布于江苏
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.电化学沉积制备半导体CuInSe2薄膜

第 C 卷第期感光科学与光化学 K4 C LK 4 年月， +## + M%-2-N8=M%0) ,)05L)5 =L9 M%-2-)%560,28O P/Q 4 +## #################################################### !!!!!!! ! 研究论文 ! ! !!!!!! 电化学沉积制备半导体 !#$%’ 薄膜申承民，张校刚，力虎林（兰州大学化学系，兰州 !#### ）摘要：本文报道恒电位法在为的、、（）溶液中，在电 $% ’( )* ,- ,/- 01 ,- 23 + . + + . 极上电化学沉积制备纳米薄膜研究络合剂柠檬酸和酒石酸对制备 )*01,/+ 4 纳米薄膜的影响扫描电子显微镜（）结果表明，加入络合剂后，电化 )*01,/+ 4 ,56 学沉积的薄膜表面颗粒分布更均匀、致密射线衍射（）分析显示，制备的 4 7 789 )*01,/+ 薄膜是黄铜矿和闪锌矿相的混和物，添加柠檬酸和酒石酸后，衍射峰增强，晶形变好制备的薄膜颗粒尺寸大小在左右，造成粒度增大的原因是 4 +(# 1: 由于颗粒的团聚作用4 关键词：电沉积；半导体；纳米薄膜文章编号：（）中图分类号：文献标识码： ### + +## # ### #; -. = ! ! ! 近几年，族的三元半导体化合物（）引起人们的广泛兴趣，虽然它 !#!$ )*01,/ )0, + + 具有较低的禁带宽度（），但在太阳能器件中具有高的转换效率（）和光吸收系 ’#( / ( ? ［］数（ @ # A ( B: A ），是一种较理想的光电转换材料 A + 4 目前，制备半导体 )0, 薄膜的方 ! ［，］法有很多，主要有喷雾热解、多源蒸发、分子束溅射及化学气相法（）等 . ，但它们