ppt节TTL集成逻辑门.pptVIP

* * RA A B C F RB RC T P1 D4 D5 D1 D2 D3 D1 D2 D3 和RA构成二极管与门。 D4 D5 为电平移位二极管。 T、RC、RB 构成反相器。 当ABC输入中只要有一个为0.3V时： VP1=0.3+0.7=1V, 二极管正向导通压降＝0.7V T 截止，F=VCC 当ABC输入全为3.6V时: VP1=2.1V T饱和 F=Vces2=0.3V 全高为低，一低出高。是与非门。 0.3V 3.6V 5V RA A B C F RB RC T P1 D4 D5 D1 D2 D3 5V 当输入VI由 电流经RA、D4、D5流入三极管 基极。正向驱动电流很大，T 很快由截止变为饱和。 当输入VI由 电流经RA流向低电平输入端，D4、D5反偏而截止，三极管反向驱散电流为流经RB中的小电流，T由饱和到截止过程比较长。所以DTL逻辑门电路工作速度比较低。100nS DTL逻辑门由于工作速度比较低，常用于低速场合。那么如何提高工作速度，满足高速运用环境，因此，研制出TTL系列集成逻辑门电路。 输入级 倒相级 输出级 1、电路构成： 输入级由T1和R1组成。T1是多射极三极管，通过发射结实现与逻辑。 倒相级由T2和R2、R3组成。T2管作倒相运用，集电极和发射极同时输出相位相反的信号，驱动T3、T4三极管。 输出级由T3、T4、D4和R4组成：T3、T4在输入信号的作用下，轮流导通，一个导通，另一个截止。叫做推拉输出级。 钳位二极管作用：防止负脉冲输入时，流向T1管发射极过大，起保护作用。 R1 A B C F 5V R2 R3 R4 T1 T2 T3 T4 D4 VCC 多射极三极管和一般三极管结构基本相同，只是有多个发射极。 TTL和DTL与非门主要区别在于用多射极管门代替二极管门。多射极管门有那些优缺、点。 相当于三个三极管的基极b和集电极c连在一起。 T1 b e eA eB eC A B C D1 D2 D3 D4 n p n c b eA eB eC 当输入全接3.6V时： Vb1=1.4V时： T1管集电结，T2管发射结导通。正向驱动电流很大，T2管快速饱和。 当输入中有一个由 基极电流i b1流向低电平输入端。多射极管工作放大状态。 i c1 = βi b1 = - i b2 - i b2 是T2管的反向驱动电流。使T2管快速截止，缩短了开关时间。 多射极管的优点：对T2管提供很大的反向驱散电流，使T2 管很快由饱和转变为截止。 T1 R1 RC 3.6V T2 VCC T1 R1 RC 3.6V T2 VCC T2管截止以后： i b1很大 i b2＝ i c1 ＝0 使T1管工作在深饱和状态 Vces1=0.1V 由三极管输出特性曲线可知： 三极管发射结“发射有余”，集电结“收集不足”。 其饱和压降为： T1 R1 RC 3.6V T2 VCC (1）、倒置运用 当输入全接3.6V时：T2饱和 Vb1= Vbc1+ Vbes2 = 0.7 + 0.7 = 1.4V Ve1=3.6V Vc1= Vbes2=0.7V Vb1 Ve1 T1管发射结反偏 Vb1 Vc1 T1管集电结正偏 i b i IH=βIi b1 T1管把集电极当作发射极，发射极电子集电极。叫倒置运用。 倒置运用的特点： 由于发射区参杂浓度大，集电区参杂浓度小，所以T1管倒置运用时，其放大倍数很小。 βI ≤ 0.2 T1管发射极电流就是倒置后的集电极电流。i IH=βIi b1是前级高电平输出的拉流负载，也称为输入输入漏电流。 + - b c N P N 两个发射极通过基区形成NPN型寄生三极管。 接高电平和低电平的发射极会形成寄生三极管电流，其电流反向由高电平输入端流向低电平输入端。 基极电流i b流向低电平输入端。 接高电平的发射极相当于寄生三极管的集电极，其电流的大小为： i IH=βj i b 基极和发射极之间的电流关系称为：交叉电流放大系数，用βj 表示。βj ＝ 0.05 总之：不管是倒置运用，还是寄生三极管效应。接高电平的输入端既有输入漏电流，又有交叉漏电流。总的漏电流 i IH =（βj＋ βI）i b 。是前级门的拉流负载。 VCC R1 F 5V R2 R3 R4 T2 T3 T4 D4 T1 3.6V 当输入全接3.6V时： T1集电结、T2、T4发射结正偏导通。 Vb1= Vbc1+ Vbe2 + Vbe4 = 3X 0.7 = 2.1V T1管集