功率开关管的寄生参数及对开关过程的影响.pdfVIP

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2017-09-25 发布于湖北
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功率开关管的寄生参数及对开关过程的影响

功率开关管的寄生参数及对开关过功率开关管的寄生参数及对开关过功功率率开开关关管管的的寄寄生生参参数数及及对对开开关关过过程的影响程的影响程程的的影影响响王振存王振存王王振振存存新能源 2013.04 北京 wzcun@139.com 新生活提纲提纲提提纲纲 •一、功率开关管的极间电容 •二、功率开关管体二极管的寄生特性 •三、功率开关管的寄生电感 •四、双脉冲测试 2 MOSFET 一、 MOSFET的极间电容 MMOOSSFFEETT 功率MOSFET的极间电容包括C （栅源电容)C (栅 GS GD 漏电容）、CDS（漏源电容），其中CGS、CGD是由MOS 结构的绝缘层形成的，C 是由PN结构成的。 DS S S G C C CC G S G S GG SS C C C C CC G S CC G D G S G D N + GG SS GG DD N + + N P P C C CC D S D S DD SS － N− N N + N +