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微机系统 第四、五章 综合练习题（参考答案） 专业 班级 学号 姓名 一、选择题 1、8086/8088的一个基本总线周期为 A 个T状态。 A. 4个 B. 5个 C. 6个 D. 7个 2、以下叙述中，不正确的是 A 。 A 最大模式系统中含2个CPU B 最大模式系统中含2个以上的CPU B 最小模式系统中也称单模式系统 D 最小模式系统中只含1个CPU 3、以下叙述中，不正确的是 C 。 A. 一个总线周期含4个T状态 B. 一个时钟周期也称为一个T状态 C．一个指令周期由4个总线周期组成 D. 执行一条指令所需时间为一个指令周期。 4、8086中，复位操作后，程序从 D 地址开始执行。 A. 00000H B. FFFFFH C. FFFFEH D. FFFF0H 5、USB是一种 A 。 A、通用的串行总线接口 B、通用的并行总线接口 C、新型的微机内部总线 D、新外设标准插头 6、RS-232C是一种 B 。 A、并行总线标准 B、串行总线标准 C、微机内部总线 D、串行内部总线 7、ISA总线也称为 B 。 A、PC总线 B、AT总线 C、XT总线 D、局部总线 8、PCI的含义是 A 。 A、局部总线 B、系统总线 C、外围元件互连 D、图形加速器 9、8086/8088CPU有 （1）B 条地址线，8086CPU有 C （2） 条数据线，8088CPU有 （3） D 条数据线，8086/8088 可寻址的存储空间为 （4）B 。 (1) A 16 B 20 C 24 D 32 (2) A 32 B 20 C 16 D 8 （3） A 32 B 20 C 16 D 8 （4） A 64 KB  B 1024KB  C 1024 MB D 8 GB 10、SRAM存储信息的方法是 B 。 A.多稳态电路 B.双稳态触发器 C.电容上的电荷 D. 磁化状态 11、DRAM存储信息的方法是 C 。 A.多稳态电路 B.双稳态触发器 C.电容上的电荷 D. 磁化状态 12、按字节编址的存储器,每个编址单元中存放的信息是 B 。 A. 1位 B. 8位 C. 16位 D. 64位 13、计算机采用Cache的原因是 C 。 A .增加内存容量 B. 增加字长 C. 提高CPU访存的速度 D. 提高命中率 14、高速缓冲存储器一般采取 B 。 A.EEPROM B.SRAM C.DRAM D.SDROM 15、在以字编址的计算机中,访存一般以 C 为单位。 A.位 B. 字节 C. 字 D.页 16、计算机主存储器一般用 B 构成。 A. RAM B. DRAM C. ROM D. EPROM 17、一般Cache采用哪种芯片 A 。 A.高速静态存储器 B. 快闪存储器 C.只读存储器 D. 动态存储器 二、填空题 1、8086CPU在设计中提供了两种模式，即 最大 模式和 最小 模式，系统中只有一个微处理器的模式称为 最小 模式。 2、基本