一种基于纳米级cmos工艺的互连线串扰rlc解析模型-物理学报.pdfVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 0( 9 %$$ 9 ， ， ， STB /0( RT /9 =5U6B %$$ （ ） #$$$@%$M%$$M0( $9 M%’#@’ =)N= O3P,Q)= ,QRQ)= #%$$ )E61 / OED4 / ,T7 / 一种基于纳米级!#$ 工艺的互连线串扰 !# 解析模型! ! 朱樟明 钱利波 杨银堂 （西安电子科技大学微电子研究所，西安 #$$#） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %$$ #’ %$$( ## 基于纳米级 工艺，综合考虑电容耦合与电感耦合效应，提出了分布式 耦合互连解析模型 采用函数 )*+, -.) / 逼近理论与降阶技术，在斜阶跃输入信号下提出了受扰线远端的数值表达式 基于 和 工艺，对不同 / $ ’0 12 )*+, 的互连耦合尺寸下的分布式 串扰解析模型和 仿真结果进行了比较，误差绝对值都在 内，能应用于 !# 345678 9 : 纳米级片上系统（ ）的电子设计自动化（ ）设计和集成电路优化设计 ,+) ;= / 关键词：纳米级 ，互连串扰，分布式， 解析模型 )*+, !# ： ， ， %!! ’’$? ’#(0 (#’$) 下，寄生电感因素对互连线串扰计算的影响还不是很 大 上述模型也都只是基于 串扰模型 #G 引 言 / !# / 当)*+, 集成电路工艺的特征器件尺寸缩小到 随着硅互补金属氧化物半导体（ ）集成电 )*+, $ 12 以后，寄生电感效应逐步增强，感性耦合成为 路工艺开始进入纳米级 )*+, 阶段，集成电路内部 了串扰噪声中不可忽略的因素，所以互连线模型必 互连线间的尺寸和距离不断减小，同时集成电路的 须采用电阻 电感 电容（ ）模型 文献［ — ］ @ @ !# / #9 # 集成规模由专用集成电路正在转变为片上系统和片 引入了寄生电感建立互连线串绕模型，除了文献 上网络芯片，其所需要的时钟频率不断增加，所以由 ［ ］采用的工艺为 工艺，其他模型所采