LD11铝合金等温变形工艺研究.pdfVIP

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2017-10-01 发布于北京
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LD11铝合金等温变形工艺研究.pdf

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峰。说明含有少量的氧化物所致。至于在1 610 cm 和 4 结论 3440 cm一处出现的H O的吸收峰则是由于进行检测时所用稀释剂而导致的。利用电子浴辅助冷阴极电弧源活性反应离子镀，在Si(100)、Mo和不锈钢基片上分别合成了AIN薄膜。薄膜结构以AIN为主，并有少量AI的存在；薄膜的表面形貌为菜花状。其成囡与A1N本身的晶体结构、特性和高沉积速率有关。参考文献： [1] YimW M，et a1．[刀．J．App1．Phys．，1993，44 292．图4 Si(100)基片上合成AIN薄膜的红外吸收谱图 E23 Okamura S，“at．亡J]．App1．phys．Lett．1982，40 E689．图5为沉积在Mo和不锈钢基片上的AIN薄膜 [3] Bell Ir|DTHolm~ID and RidingsRV．口]．【EEETransaction 的红外吸收谱。图中也出现了对应于六方AIN的吸收 on Micromave Thermal Technology，1993 r April±263． [4] Edgar H and Yu Z J．[J]．Thin Solid Films，1990：189tLll·LI4．峰．表明在Mo和不锈钢上利用本方法也合成了AIN [5] lshlh*ra M。Yumoto H，Tsuehiva T，Aka~hi K．[c]．TF—Thp一77 薄膜。 [6] Lu H L，So r W F，Borden M T，Tesmer J R，Wu x D-[J]． ’ ● Thin Solid F l 1996 289． [7] 薛建明等．双能氨分于离于注^在匍上形成 bin屉的研究[A]．见t94社季中国材料研究舍l[c]．北京t化学工业出版社，1995t 75． [8] 播倥簋等．[P]．CNPat 9010384 5，199{)． [9] Karnmnn Ste2口．口]．Materia