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2017-09-20 发布于北京
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[19 ]中华人民共和国国家知识产权局 [51 ] Int. Cl. H01L21/205 臼脱01 ) [12 ]发明专利申请公开说明书 [21 ]申请号 200480033665.7 [43J 公开日 2006 年 12 月 20 日口lJ 公开号 CN 1883032A [22J 申请日 2004.8.25 [74J 专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司 [21 J 申请号 200480033665.7 代理人孙秀武赵苏林 [30J 优先权 [32J 2003.11.14 [33J JP [31J 385333/2003 [86J 国际申请 PCT/JP2004/0121792004.8.25 [87J 国际公布 W02005/048331 日 2005.5.26 [85J 进入国家阶段日期 2006.5.15 [71 J 申请人信越半导体株式会社地址日本东京都 [72J 发明人高见泽彰一佐山隆司权利要求书 2 页说明书 8 页附图 2 页 [54J 发明名称硅外延晶片的制造方法 [57J 摘要 19 对于棚、石申或磷作为掺杂物添加至 1 X l0 1 cm3 以上的浓度、并在背面形成了 CVD 氧化膜 1 的 cw~气~ 硅单晶衬底 PW，一边使 CVD 氧化膜 1 残存一边通 cw;三~ 过氢氟酸处理来湿蚀刻硅单晶衬底 PW 的主表面上町之~ 的氧化膜(步骤 55 )。其次，在氢气中在950°C 以下烘烤硅单晶衬底PW，干蚀刻硅单晶衬底PW 的主表叫王~ 面上的自然氧化膜(步骤 57 )。然后，在比主外延附;三~ 层 3 的生长温度低的温度下形成副外延层 2( 步骤叫追. 58) ，在 900°C 以上 -1200°C 以下的温度下，在副外 PW;之~ 延层2 上形成主外延层 3( 步骤 59 )。叫追. 叶道. 200480033665. 7 权利要求书第1/2 页 1.一种硅外延晶片的制造方法，是通过按下述顺序进行: 在添加了棚、神或磷作为掺杂物的硅单晶衬底的主表面上形成副外延层的副外延层形成工序、和在上述副外延层上形成主外延层的主外延层形成工序，由此在上述硅单晶衬底的主表面上形成具有主外延层和副外延层的硅外延层的硅外延晶片的制造方法，其特征在于，作为上述硅单晶衬底，使用在背面形成了用于防止自动掺杂的硅氧化膜的硅单晶衬底，按下述顺序进行下