BLF7G20L-140P,118;BLF7G20LS-140P,112;中文规格书,Datasheet资料.pdfVIP

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2017-09-12 发布于上海
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BLF7G20LS-140P Power LDMOS transistor Rev. 2 — 17 August 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 140 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 1800 MHz to 2000 MHz. Table 1. Typical performance Typical RF performance at Tcase = 25 °C in a common source class-AB production test circuit. Mode of operation f IDq VDS PL(AV) Gp ηD ACPR400k ACPR600k EVMrms (MHz) (mA) (V) (W) (dB) (%) (dBc) (dBc) (%) CW 1805 to 1880 850 28 125 17 54 - - - GSM EDGE 1805 to 1880 850 28 60 17.5 41 −61 −75 2.7 1.2 Features and benefits Excellent ruggedness High efficiency Low Rth providing excellent thermal stability Designed for broadband operation (1800 MHz to 2000 MHz) Lower output capacitance for improved performance in Doherty applications Designed for low memory effects providing excellent pre-distortability Internally matched for ease of use Integrated ESD protection Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS) 1.3 Applications RF power amplifiers for base stations and multi carrier applications in the 1800 MHz