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第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 6% $$5 ， ， ， KE 16% UE 1 V-WFA;FX $$5 （ ） ($$$9#J$L$$5L6% $ L (($J9$5 2.P2 QRS)T.2 )TUT.2 !$$5 .G* 1 QGX/ 1 )E@ 1 ! % 合金半导体中’ ’ 和 ’ ) 缺陷 # $ ! ! ( 随 含量的变化! % ! 杨福华 谭 劲 周成冈 罗红波 （中国地质大学材料科学与化学工程学院，武汉 #$$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） $$% ’ ( $$% % ($ 采用从头计算（ ）的方法对 和 合金半导体材料中 缺陷的性质进行探讨，同时也对比调 ! #$#%# )* )* ,- . . ( + ’ ’ * / 查了 缺陷在 和 合金中的性质 在不同 含量的 合金中 和 缺陷的结构都具有较 . 0 )* )* ,- 1 ,- )* ,- . . . 0 * * ( + ’ ’ ( + ’ ’ * / * * 好的稳定性；从能量学角度， 原子不能与 或 原子直接成键 缺陷的 型和 型结构在 合金中 ,- . 0 1 . . 2 3 )* ,- * / ( + ’ ’ 表现出的行为基本类似，但是 型结构随着 含量的增加形成能逐渐减小，结构越来越稳定，而 型结构的形成 2