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术语和特性-FujiElectric
第2章 术语和特性 1. 术语说明 2-2 2. 车载IGBT的模块冷却性能 2-5 MT5F35464 © Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 2-1 本章对车载IGBT模块的相关术语和特性进行说明。 1.术语说明 以下是规格书等中使用的各种术语的说明。 表2-1最大额定值 术语 符号 定义(相关条件请参考规格书) 集电极-发射极间电压 在栅极-发射极间短路的状态下,可在集电极-发射极间施 V (Collector-emitter voltage) CES 加的最大电压 栅极-发射极间电压 在集电极-发射极间短路的状态下,可在栅极-发射极间施 V (Gate-emitter voltage) GES 加的最大电压 ICN 额定电流 I Cnom 集电极电极允许的最大直流电流 集电极电流 I (Collector current) C -I Cnom 内置二极管允许的最大直流正向电流 -I C 最大损耗 PC 每个元件的IGBT允许的最大电力损耗 (Maximum power dissipation) 结温 可在不引起元件异常的情况下动作的最高芯片温度 T (Junction temperature) j (设计时需确保即使装置在最差状态下也不会超过该值) 连续动作时的结温 T 允许元件连续动作的结温 (Operation junction temperature) j(op) 壳体温度 T IGBT的壳体温度 (Case temperature) C
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