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PDP研发设备条件 PDP研发设备条件 PDP研发设备条件 PDP研发设备条件 PDP研发设备条件 PDP结构设计原理 显示电极宽度对Uf、Ue 、 ?Us和的影响 PDP结构设计原理 随着w1的增加,放电单元的Uf和Ue略有降低,而?Us则基本保持不变,而放电电流I增加。 随着显示电极宽度增大,亮度提高,而光效基本不变。 PDP结构设计原理 AC-PDP未放电时单元的等效电路图 PDP结构设计原理 上基板放电单元的设计原则: (1)在确定的像素面积内,尽可能提高像素的光输出开口率,以提高PDP的发光效率,同时又要避免引起邻线电极间的放电。 (2)在工艺允许范围内,尽可能降低PDP的着火电压,以利于降低驱动功率和成本。 PDP结构设计原理 显示电极间隙g1,g2 和宽度W的确定: 提高开口率的措施: Bus电极宽度b ?,透明电极宽度W ?。 当电极宽度W为常数时,随着g的增大,PDP的发光亮度和光效都在提高。但是过大的放电间隙将引起着火电压的升高,使驱动困难。为了降低着火电压,宁可选择比较小的放电间隙。 PDP结构设计原理 随着w1的增加,放电单元的Uf和Ue略有降低,而?Us则基本保持不变,而放电电流增加。 随着显示电极宽度增大,亮度提高,而光效基本不变。 为避免邻线放电,显示电极非发光区间隙g1,g2 要考虑。 PDP结构设计原理 介质层厚度的确定 减小介质层厚度都会使着火电压下降,放电电流增大,亮度增加,功耗增加。 从工艺角度,为了保证透明介质有一定的耐击穿能力,不宜做的太薄,一般分两次印、烘、烧的过程。对于薄膜Bus电极(Cr-Cu-Cr),透明介质厚取20~25μm,对于厚膜银Bus电极,透明介质厚取25~30μm。 PDP结构设计原理 障壁宽度:在满足均匀性的前提下, 障壁宽度应尽可能窄,以增大单元的开口率,提高器件亮度。 障壁高度:谐振辐射的自吸收 e+Xe*(3P1)?Xe++2e 如果高度h?,则着火电压?,维持电压?,寻址电压?, 发光亮度?。 一般选取障壁的高度为显示电极间隙1.2~1.5倍。 对障壁的要求是高度一致(偏差在?5?m以内), 形状均匀。 PDP结构设计原理 障壁高度对PDP电压性能的影响 PDP结构设计原理 障壁高度对亮度的影响 PDP结构设计原理 寻址电极宽度:为了确保正交的A-Y电极对向放电有足够的区域,A电极应有足够的宽度。但是,如电极太宽,会增大寻址时的放电电流,使寻址功率变大,增加电路的难度。 介质层厚度:下板介质的主要作用是保护寻址电机,特别是在喷砂和刻蚀工艺制作障壁的过程中要考虑加工的可行性。 PDP结构设计原理 研究目标:PDP低成本、高效率材料和部件 研究内容:介质、障壁、荧光粉和电极材料 用于低成本制造技术的材料 高效率、长寿命荧光粉 GLASS 投入 ITO电极 BUS 电极 BLACK STRIPE 介质(下) 介质(上) 投入检查 初期清洗 干燥 检查 预热 贴膜 曝光 显影 刻蚀 剥膜 检查 曝光 显影 检查 印刷 干燥 烧结 印刷 干燥 烧结 检查 修复 印刷 烧结 干燥 曝光 显影 检查 印刷 烧结 干燥 上 板 检查 PDP制作工艺 PDP制作工艺 下 板 GLASS投入 寻址电极 背板介质 障壁 荧光粉 投入检查 初期清洗 干燥 检查 印刷 干燥 烧结 检查 印刷 贴膜 曝光 显影 干燥 喷砂 剥膜 烧结 检查 印刷(3次) 干燥 曝光 显影 检查 修复 印刷 烧结 干燥 检查 干燥 烧结 PDP制作工艺 后 工 序 上 板 下 板 MgO镀膜 检查 封接涂覆 检查\修复 上下基板对合 排气\充气 Bonding 检查\修复 烧结 老炼 涂胶 PDP制作工艺 透明电极 ITO薄膜特点: ITO工艺成熟,刻蚀性能良好,但在PDP工艺中经过高温处理时,阻值变化较大。 SnO2薄膜特点: 成膜工艺简单,成本低,且热稳定性好,但其刻蚀性能不易掌握。 制作材料和方法: 湿法刻蚀 激光直描 PDP制作工艺 BUS电极 作用: 减小显示电极电阻 要求: 导电性能好,与透明导电薄膜附着力强 制作材料和方法: Cr-Cu-Cr薄膜 磁控溅射法制备薄膜,刻蚀成形 Ag浆料 丝网印刷图形,烧结制成 光敏Ag浆料 丝网印刷,光刻成形,烧结制成 PDP中的曝光工艺 BUS曝光 浆
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