第6章 电阻版图设计.pptVIP

1080 910 80/10 HPoly2_1 13% 62 55 48 Poly2 23% 23 19 15 Poly1 9% 185 170 155 P+ 8% 70 65 60 N+ 10% 1100 1000 900 N阱 Max Typ Min Max Typ Min 偏差 偏差 Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 温度变化 温度系数 TCR ppm/℃ +3800 +4000 +3700 +1500 +600 +2500 +3000 -1000 +1000 +6000 材料 铝（块状） 铜（块状） 金（块状） 160Ω /基区扩散 7Ω /发射区扩散 5KΩ /基区收缩扩散 2KΩ /高值薄膜电阻（P 型） 500Ω /多晶硅电阻（4KA N型） 25Ω/□多晶硅电阻（4KA N 型） 10KΩ /N阱 电阻阻值变化 几种材料在25℃时的典型温度系数 Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 电阻阻值变化 非线性 多晶电阻制作于场氧上方，场氧在多晶和衬底之间起 绝缘作用，散热性差，所以多晶电阻容易受自加热的影 响。 使用多晶电阻时绘制长度不能太短，减小多晶晶粒非 线性的影响。 --- 200 90 0 P + Cont --- 100 25 0 N + Cont --- 20 12 0 0.5X0.5 Poly2 Cont --- 10 3 0 0.5X0.5 Poly1 Cont Max Typ Min Max Typ Min 偏差 方块电阻阻值 尺寸 电阻 类型 偏差 方块电阻阻值 尺寸 电阻 类型 Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 电阻阻值变化 接触电阻 每个电阻至少有两个接触孔，每个接触孔都会增加电阻 的阻值。 Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 电阻阻值变化 接触电阻 M1 绝缘层 Poly 场氧 P-sub poly1的接触电阻典型值为3欧姆， poly2的接触电阻典型值为12欧姆 Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 N+ M1 M1 N+ N+ P-sub M1 P-sub P-sub P+ M1 Nwell N+ N+接触电阻典型为25 Nwell N+接触电阻典型为25 P+接触电阻典型为90 Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 本章主要内容 6.1 6.3 6.5 6.2 6.4 6.6 电阻版图 电阻寄生效应 微调电阻 电阻率和方块电阻 电阻变化 不同类型电阻比较 电阻匹配 6.7 电阻寄生效应 T1 Poly π模型 多晶硅电阻电路模型 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 多晶硅电阻的寄生效应 T2 夹层氧化物 场氧 衬底 2π模型 Copyright by Mo Bing 电阻寄生效应 多晶硅电阻的寄生效应 多晶电阻的四周被绝缘物包围，这样的结构导致了 多晶硅会和绝缘层和衬底构成寄生电容（Poly-绝缘层- 衬底）。其分布电容可以使用π模型或多π模型来估 计。 此外跨越多晶硅的导线会引入额外的寄生电容，这 样的寄生电容有可能会将噪声耦合到高阻抗回路。因而 在精密模拟电路中，信号线不能布在多晶电阻上。 夹层氧化物 场氧 衬底 Copyright by Mo Bing Poly 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 电阻寄生效应 扩散电阻模型 Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 本章主要内容 6.1 6.3 6.5 6.2 6.4 6.6 电阻版图 电阻寄生效应 微调电阻 电阻率和