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TMS320VC5410分页烧写_Flash的多页程序并行自举

14,5$/6789$分页烧写 !!!! +:;=的多页程序并行自举) 兵器工业第 研究所 左颢睿 李焱 马艳 1J ! 以C9?0#4512$#为例!介绍对 F(3P4##KO;%*H存储器进行程序分页烧写以及上电后多页用户程 序并行自举的方法对多页 O;%*H存储器的烧写!须在烧写过程中对已烧写的数据长度进行动态判断! 当达到预定烧写长度后对O;%*H进行换页!然后继续烧写!重复上述换页过程!直到程序烧写完为止对 摘 要 ! ! 多页程序的并行自举!在系统上电后!利用 提供的自举程序!将一个用户自己编写的前导程序载入 CB !利用该前导程序将多页程序载入 来实现程序的自举此方法适用于多种 芯片和 6?E 6?E O;%*H 51### 系列 6?E 关键词 C9?0#4512$# F(3P4##K 6?E 多页并行自举 ! ! ! 公司的 芯片 !简称 是 分的数据$文中 $J‘R$!位 F(3P4##KO;%*H 映射 CB 6?E C9?0#4512$# 12$# !! 性能卓越的低功耗定点 #在嵌入式系统中有着广泛的 为 的片外数据存储空间#地址为 # 6?E 12$# #_J### #_OOOO # 应用$ 没有自带的片上非易失性存储器#因此需要 数据总线 位#用于 位方式的并行引导装载$ 12$# $! $! $J‘ 外部的非易失性存储介质#如 或 #来存储程 的 被分为 页进行访问$本文通过 的 % 端 =EGD9 O;%*H O;%*H A 6?E BD 序和数据$ 片内有 字 $ 由于在片内 口向OETF写控制字#由OETF控制 O;%*H的换页引脚对 12$# !2‘ GF9 GF9 运行程序比片外运行有高速度低功耗等显著优点#通常上 各个分页进行访问’以烧写 个页面为例#使用 的 O;%*H 电后都需要从片外 或 上加载程序到片内 第 ( 页#初始化时选中第 页$ =EGD9 O;%*H $ $ #但是芯片自带的自举程序!简称 只支持 GF9 K//,;/%)8 存储器的分页烧写 !# ?K:4L

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