FM1608中文资料.pdfVIP

The DATASHEET China Service Center of RAMTRON a b s o r b e d i n f e r r o e l e c t r i c s professional technology and attentive service 特性 64K 位铁电非易失性随机存储器 SRAMEEPROM 兼容 l 结构容量为8,192*8位 l JEDEC 32Kx8 SRAM EEPROM 脚位 l 1万亿次以上的读写次数 l 70 ns Access Time l 掉电数据保持10年 l 130 ns Cycle Time l 写数据无延时 l 先进的铁电制造工艺 低功耗操作 l 工作电流为25MA 相对于BBSRAM 模块的优势 l 待机电流20UA l 没有电池产生的不良因素 l 单片集成电路可靠性高 工业标准 l 真正的表面贴装解决方案 l 工业温度-40 ° C to +85 ° C l 优异地抗潮湿、冲击、振动的能力 l 28-pin SOIC or DIP l 优异的抗负脉冲能力 描述 管脚配置 FM1808是采用先进的铁电技术制造的 256K位非易性铁电随机存储器，FRAM 是一种与SRAM相似但却具有非易失性 的随机存储器，但它没有BBSRAM模组 系统的设计复杂性和相关的数据可靠 性问题缺点，数据掉电可以保存10年。 高速写操作以及高擦写次数使得它比 其他非易失性存储器具有更高的优势。 在系统操作中，FM1808非常类似于其 它的RAM器件，都具有一样的最小的读 写周期。FRAM非易失性特点归功于它 先进的铁电存储器制造工艺，与 BBSRAM模给不同，它是一款真正的非 易失性存储器，它提供一样的快速写入 功能优点，但没有电池后备或其它混合 内存解决方案的缺点。 这些特性使得FM1808对于某些要求以 字节宽度进行快速频繁写操作的非易 失性应用场合非常理想，它的表面安装 封装提高了新设计的制造能力，器件规 格可以保证工作在工业温度范围-40 C to +85 C。 第 1 页 管脚描述 管脚名称 类型 描述 A0-A12 IN 地址：13 位地址线选择内存的某一字节，地址值在/CE 的下降沿被锁存。 DQ0-7 I/O 数据：访问FRAM 内存的双向8 位数据总线 /CE IN 芯片使能：当为低电平时选中芯片，在/CE 的下降沿时地址被内部锁存，在下一 个下降沿来临前，在/CE 为低电平时地址值的改变均被忽略。 /OE IN 输出使能：低电平有效，在读周期中允许输出缓冲区输出，使/OE 变为高电平后 将使DQ 转变为三态状态。 /WE IN 输入使能：低电平时，允许将数据总线上数据写入在/CE 的下降沿时锁存的地址 单元 VDD Supply 电源：5V VSS Supply 电源：地 功能真值表 （注意：/OE 管脚仅控制输出缓冲区的输出） /CE WE 功能 H X 静态/预充电 ↓ X 锁存地址（如果/WE 为