【2017年整理】前后清洗总结.docVIP

 前后清洗总结 前清洗【清洗制绒】 一、制绒流程 单晶：预处理——制绒（NaOH）——酸洗（HF，HCL）——热水慢提拉——热水烘干 多晶：制绒——漂洗——碱洗——漂洗——酸洗——漂洗——烘干 二、原理 单晶：利用碱（NaOH)、异丙醇（IPA）与睡的混合液对单晶硅片的各项异性腐蚀，在表面形成类似“金字塔”状的绒面，有效增加硅片对入射太阳光的吸收，从而提高光生电流密度。 多晶：由于多晶晶体排列杂乱，无法利用碱液对硅晶体的各项异性腐蚀进行制绒，所以要用酸溶液对硅晶体进行各项同性腐蚀。即通过硝酸与氢氟酸的混合溶液对硅片表面腐蚀进行制绒。 三、影响制绒面质量的关键因素 单晶：碱的浓度、反应温度、添加剂浓度、IPA浓度、NaSiO3浓度、体系流动性、硅片表面原始状态。 多晶：HF浓度、制绒温度、腐蚀时间、制绒液寿命、反应连续性、HNO3浓度、溶液流动性、原硅片表面损伤层状态。 四、监控手段 单晶：减薄量、反射率、绒面尺寸、颜色一致性、扩散后外观 多晶：减薄量、反射率、网纹等级、扩散后外观 五、用到的化学品 单晶：NaOH、HF，HCL（酸洗）、IPA（异丙醇） 多晶：NaOH（碱洗）、HCL+HF（酸洗）、HNO3（硝酸） 六、硅片表面处理的目的 1、去除硅片表面的机械损伤层（来自硅棒切割的物理损伤） 2、清楚表面油污和金属杂质 3、形成起伏不平的绒面，增加对太阳光的吸收，增加PN结面积，提高短路电流（ISC),最终提高电池转换效率。 七、预处理 目的：去除硅片表面的机械损伤层，油污等，减少白斑、白点的产生，为制绒创造一个良好的反应环境。 漂洗：利用去离子水将硅片表面的残留化学品漂洗干净。 八、单晶碱制绒会出现哪些不良及相应处理 色差：由于反应速率不一致引起的绒面大小不一。 发白：表面清洗剂残留阻碍反应，而发白部分绒面极小。 划痕：切片损伤 指纹印：主要为操作问题及所使用的手套问题。 雨点：反应较快，产生的氢气泡不能及时排出。 前后清洗有哪些槽 制绒槽、碱洗槽、酸洗槽。 影响腐蚀量的因素 溶液温度、反应时间、溶液浓度。 后清洗【刻蚀】 刻蚀目的 去除扩散后硅片四周的N型硅，防止漏电。 原理：SiO2+6HF→H2[SiF6]+2H2O 在扩散工艺中，在硅片表面形成一种含有磷元素的二氧化硅——磷硅玻璃，利用HF能够溶解二氧化硅的特性，溶解表面的二氧化硅和磷的混合物，使得硅片表面上下绝缘，防止漏电。 工艺流程 上料—刻蚀—水洗—碱洗—水洗—酸洗—水洗—风干—下料 刻蚀所用的化学品 硝酸（HNO3）、氢氟酸（HF）、硫酸（H2SO4）、氢氧化钠（NaOH） 各槽的作用 ①刻蚀槽：硝酸将硅氧化生成二氧化硅，氢氟酸与二氧化硅的反应生成物进入溶液，硫酸不参加反应，增大溶液的粘度，增大溶液与PSG薄层间的张力和溶液的密度。 ②碱槽：中和硅片残留的酸液，去除多孔硅。 ③HF槽：去磷硅玻璃、中和硅片表面残留的碱液。 ④水洗槽：洗去硅片表明残留液。 去磷硅玻璃（P、P2O5、SiO2） 目的：①磷硅玻璃的存在使得硅片在空气中表面容易受潮，导致电流的降低和功率的衰减。 ②：死层的存在大大增加了发射区电子的复合，会导致少子寿命的降低，进而降低了VOC和ISC。 ③磷硅玻璃的存在使得PECVD后产生色差。 质量控制点 减薄量（一天测一次） 前清洗（制绒前-制绒后） 单：0.45~0.78g 多：0.36~0.42g b、后清洗（刻蚀前-刻蚀后） 单：0.05~0.07g 多：0.06~0.08g 反射率（一天测多次） 单：10.35~11.65（一天测三次，一次拿三片）（4、5、7、8、10） 多：24.5~26.5（一天测五次，一次拿五片） 边阻（一次） ＞1.5KΩ 正常 0.8KΩ~1.5KΩ调整 ＜0.8KΩ停产 注：前清洗要测减薄和反射率 后清洗要测减薄和边阻值 扩散学习报告 扩散的目的：形成PN结 PN结的制造：①不是两块P型和N型的半导体接触 ②必须使一块完整的半导体晶体的一部分是P型区域，一部分是N型区域 ③在晶体内部实现P型和N型半导体的接触 影响扩散的因素 POCl3浓度 （2）扩散温度 （3）扩散时间 N型区域磷浓度和扩散结深共同决定着方块电阻的大小 方块电阻：表面为正方形的半导体薄层在电流方向所呈现的电阻。 —即是反映扩散层质量是否符合设计要求的重要工艺指标之一。 —标志扩散到半导体中的杂质总量的一个重要指数。 扩散的原理（三氯氧磷在600℃高温下分解生成五氯化磷和五氧化二磷） 化学反应：POCl3在高温下（＞600℃）分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5) 扩散的操作流程 上料→插片→进舟→扩散→推舟→在线测方块电阻→卸片。 注：测试如有偏