在Si-Ge晶体外延生长中的RHEED花样研究-物理学报.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 A( ## %$$’ ## ， ， ， Q0, A( Z0 ## Z0R*DN*) %$$’ （ ） #$$$%’$T%$$’TA( ## T?A$( WBXW V8C;YBW ;YZYBW !%$$’ B2/1 V24S ;0- 在!#$% 晶体外延生长中的’(() 花样研究! ! 张 冲 叶 辉 张 磊 皇甫幼睿 刘 旭 （浙江大学现代光学仪器国家重点实验室，杭州 #$$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %$$’ % #( %$$’ # 在晶体衍射理论基础上，利用运动学理论解释了反射式高能电子衍射（ ， )*+,*-./01 2/32 *1*)34 *,*-.)01 5/++)6-./01 ）在 晶体外延生长过程中不同阶段出现的花样 尤其研究了晶体岛状生长之后出现的 透射式 7899: ;/=* 7889: 衍射花样，并给出了相应的解释 解释了硅锗外延生长过程中的多晶环图案和孪晶衍射图案的含义，并给出各个生 长阶段演化的工艺条件 关键词：硅锗外延生长，反射式高能电子衍射，表面重构，透射式衍射花样 ： ， ， *+,, ?##@8 (##A ?#A$B ［ ， ］ 式#% # 若衬底为较理想的晶体平面，对应 7899: #I 引 言 花样上为一系列等间距排列的条纹，或者沿圆弧排 列的点，即所谓的劳厄环；如果出现分数级的条纹或 反射式高能电子衍射是利用晶体的周期结构对 者分数级的劳厄环，则说明衬底表面出现了重构现 高能电子的衍射效应来判断晶体的表面及内部结 象；随着材料生长，晶体表面变得粗糙不平，对应 ［— ］ 构# 与 低 能 电子 衍 射 （ 花样上条纹逐渐模糊；当晶体生长到一定阶 ,0J *1*)34 *,*-.)01 7899: ， ）不同，在 系统中电子束为 段，表面成岛或者较大的突起， 花样上出现 5/++)6-./01 K99: 7899: 7899: 掠入射，在监测的同时不影响材料的生长，所以被广 按一定规律规则排布的斑点，即为透射式衍射花样