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NAND Flash恢复 常俊超 NAND Flash恢复 NAND Flash封装类型 1、Chip On Board 2、Thin Small Outline Package 3、Land Grid Array NAND Flash恢复 TSOP 48(48 代表48 pins)引脚定义 NAND Flash恢复 TSOP 48(48 代表48 pins)引脚定义 NAND Flash恢复 TSOP 48(48 代表48 pins)引脚定义 IO0-IO7：用于输入地址/数据/命令，输出数据 CLE：Command Latch Enable（命令锁存使能） ALE：Address Latch Enable（地址锁存使能） CE#：Chip Enable（芯片使能） RE#：Read Enable（读使能） WE#：Write Enable（写使能） WP#：Write Protect（写保护） R/B#: Ready/Busy Output（就绪/忙） Vcc：Power（电源） Vss：Ground（接地） N.C：Non-Connection（未定义，未连接） NAND Flash恢复 NAND Flash公用指令 Read ID(读取flash的ID身份) Read Status(读状态命令)-状态位含义相同 在指令执行期间 时序图基本相同 基本指令集相同 NAND Flash恢复 指令集实例 K9K8G08U0A flash芯片指令集 NAND Flash恢复 Block(块)、Page(页面)、Sector(扇区) 块(Block)是擦除(Erase)单位 页(Page)是读写单位 在写入数据之前 数据所在的块必须先擦除(整块填写1) 然后才能写入 (相应位置1-0) NAND Flash恢复 Flash ID结构(Read ID命令) Flash ID 通常由四个字节构成 第一个字节：生产厂家ID(Vendor ID) 第二个字节：存储芯片ID(Device ID) 第三个字节-第N字节：Page大小、SLC、MLC、Stack Structure等 （如果单个chip由几个内部段组成，通常称为Stack Structure,内部实际包含几个物理芯片，它们采用多路复用的方式来实现各自的功能，主要通过引脚#CE互相切换) NAND Flash恢复 读操作时序图 Samsung型号K9K8G08U0A NAND Flash恢复 数据地址时序图表 传入数据地址的顺序：从小到大 页内地址（列地址-Column Address) 页号 (行地址-Row Address) 块号 (行地址-Row Address) NAND Flash恢复 Flash读写单位为页面(page) NAND Flash恢复 Flash Controller功能 NAND Flash恢复 Flash Controller作用 优化Flash读写速度(Mix实现) Flash并发与交替运行(Mix实现) Flash存储单位均衡使用(Even Wear) (在实现均衡实用Flash存储单元过程中，主控一般会采用Translation Table的形式进行数据块的映射) NAND Flash恢复 修改Flash Page内容过程 把包含将要修改页面的块读入内部缓存中 修改块中的内容 擦除整个块内容(全部置1) 重新计算新块位置 把整个修改后的块内容写到新的位置 NAND Flash恢复 Flash数据恢复流程 第一步：物理提取Flash芯片内容(Dump) 第二部：消除Mix状况(保证块内结构顺序正确) 第三步：模拟控制器算法生成最终镜像文件 第四步：测试镜像文件是否正确(通过恢复数据来验证) NAND Flash恢复 NAND Flash控制算法类型 基于块编号算法(Block Number) 基于译码表算法(Translation Table) 特殊方法 NAND Flash恢复 常见Flash Controller品牌种类 NAND Flash恢复 PC3000 for flash支持的主控芯片品牌 NAND Flash恢复 Flash块(Block)内部数据混合(Mix)存放 Bitwise inversion(位转换) Joining/Splitting by bytes(字节交替存放) Joining/Splitting by blocks(块交替存放) Joining/Splitting by dump(Dump交替存放) NAND Flash恢复 块(Block)内部数据混合(Mix)典型结构 解决方法：Join by Block NAND Flash恢复 数据混合(