OGS__Cotter__Sputter___SIO2及IIM_制程培训.ppt

* SiO2 及IIM制程 RST Comment 一、 SIO2薄膜的应用 二、 SiO2制程原理 三、特气管路分布说明 四、膜厚均匀性调试 五、Sio2 制程常见异常分析 六、Sio2 Check rule 七、IIM简介 八、部分专案产品规格书 九、IIM附著NG改善DOE验证 十、部份專案 FMEA 十一、機台產能與保養規劃 十二、機台點檢項目 一、SIO2薄膜的应用 1、材料特性：SiO2 具有硬度高，耐磨性好、绝热行好，光透过率高、抗侵蚀能力强以及良好的介电性质，通过对各种制备方法、制备工艺的开发和不同组分配比比对SIO2薄膜的影响研究，制备具有优良性能的透明SIO2的薄膜的工作已经取得了很大的进展，利用纳米SIO2的多孔性质可应用于过滤薄膜、薄膜反应和相关的吸收以及分离技术、分子工程和生物工程等，从而在光催化、微电子和透明绝热的领域具有很好的发展前景。 2、SiO2 制程主要目的： 在基材上溅镀一层SiO2薄膜，利用此膜层保护其下的基层，防止基层上的电路受外界环境的侵蚀而失去其原始设计的功能。 目前TPK做的大部门OGS产品如结构为 BM+IIM，会在BM 前增加一道200A SIO2，目的为增加BM的附着力。 二、SiO2制程原理 1、在阴极端(靶材)，通上负电压，而阳极端则接地，在两极之间通以纯态气体(Ar/O2)，并维持真空度在0.1~1pa之间。 2、当两极间加上电压后，存在真空系统中的一些微量电子电场及磁场的作用下，以螺旋状的路径加速往阳极端前进被加速的电子在行进中撞击在行进中的Ar，使Ar原子失去一个电子，而形成Ar+ 3、被撞出去的电子再被加速，又与Ar撞击产生另一个电子与Ar+，或是与Ar+中和掉 4、在Ar不断的补充下以及抽气作用下，最后在两极之间形成一个平衡态两个电极间重复上述动作而形成一个平衡态(电极而形成电浆). 三、特气管路分布说明（AKT） O2 Top O2 Center O2 Bottom MFC MFC MFC Ar O2 N2 旋转target MFC MFC MFC 此shielding 从上到下有24个气孔， Ar+N2+O2 main经过MFG后混合从 这些气孔进气 O2 Top 控制Shielding 上5个气孔进气量 O2 Center 控制Shielding中间14个 气孔进气量 O2 Bottom 控制Shielding 下面5个气孔进气量 主管 分管 四、膜厚均匀性调试-AKT（影响因素） 影响因素： 1、旋转方向、旋转速度 2、适当少量N2可提高膜厚均匀性（AKT Sio2 Sputter 有2种控制方式：P mode和U mode，TPK 的经验，如使用P mode，不能通入N2，否则会引起ITO 线阻偏大） 3、Ar 量，Ar 越多，均匀性越好，但是因为Ar 越多，镀膜压力越大，越容易产生splash，在均匀性允许的前提，建议镀膜压力控制在0.1~0.2pa（低压） 4、Cathode 磁场（当制程参数全部无法达到，可见为硬体问题，需对cathode磁场进行modify） 四、膜厚均匀性调试（磁滞曲线） 四、膜厚均匀性调试-AKT（P Mode U Mode） U Mode： 1、电压固定（根据设定值）O2总量 增加，Power 会增加，膜厚会总体增加； 2、通过分管O2，来调节膜厚均匀性（分管分上中下O2，分管O2越多，对应点的膜厚会越低） P Mode： 1、Power固定（根据设定值）O2总量 增加，电压会降低，膜厚会总体降低； 2、通过分管O2，来调节膜厚均匀性（分管分上中下O2，分管O2越多，对应点的膜厚会越低） 　 Ar O2-main O2-Top O2-Center O2-Bottom Speed Voltage  Power Thickness Test1 150 90 10 5 35 1.84 400 17.7 741 707 541 478 324 338 Test2 150 90 15 5 30 1.84 400 18.1 571 574 557 490 445 492 Example： PS: FSE機台膜厚均勻性主要通過調節各靶材Ar針閥來控制。 五、SIO2制程常见异常分析-1 （Splash） 1、DSS 与target 过近，造成Arcing 严重， 目前TPK 使用的DSS保持与target gap 3mm~4mm DSS Target Nodule 2、镀膜压力使用低压（AKT 经验） 3、使用P Mode ，过氧状态 Brown mark 4、出现Splash需要PM或者换靶材，較長時間洗靶 针对SPS01金属亮点进行EDX成分分析如下： Element Wt% At% CK 11.5