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SCB火工品等离子体温度特性测试+文献综述 摘要基于原子发射光谱双谱线法测温原理，对半导体桥（SCB）等离子体温度进行实时瞬态测定；试验研究了放电脉冲条件下等离子体温度的变化规律及不同脉冲能量对等离子体温度的影响。结果表明： （1）在同一电容下，随着电压的升高，等离子体的温度随之升高； （2）在同一电压下，随着电容的增大，等离子体的温度随之升高； （3）当输入能量相同时，随着电容的增大，等离子体的温度随之降低；增大SCB 火工品的发火电容，有利于产生高温等离子体，从而提高SCB桥膜输出能量。 （4）在发火能量足够大时，桥膜的尺寸越大，质量也就越大，产生的等离子体的峰值温度也就越高。在保证SCB可靠发火的同时，增加SCB桥膜尺寸可以提高SCB桥膜输出能量。 关键词：半导体桥；等离子体温度；原子发射光谱法；放电脉冲5745 毕业设计说明书（论文）外文摘要 TitleStudy on Characteristics of Plasma Temperature Generated by Semiconductor Bridge(SCB) Abstract The plasma temperature of the semiconductor bridge (SCB) was measured in real-time based on the relative intensity ratio of two lines of atomic emission spectrum.In the case of different discharge pulses,the plasma temperature and the influence of pulse energy on it were studied.The results show that: (1) Under a same capacitance level,increasing of voltage,the temperature increases as well; (2) Under a same voltage level,the plasma temperature raise while capacitance increases; (3) When the input energy is the same, with the capacitance increases, the plasma temperature decreases; Increase the SCB EED firing capacitor, to generate high temperature plasma, thereby increasing the energy of the SCB bridge film output. （4）Ignition energy is large enough, the larger the size of the bridge membrane, the greater the quality, the higher the peak temperature of the plasma. To ensure the SCB and reliable ignition at the same time, increasing the the SCB bridge membrane size can improve the the SCB bridge film output energy. 5.2不同放电条件对等离子体峰值温度的影响24 5.3本章小结25 6桥膜尺寸对SCB发火性能及等离子体温度的影响25 6.1不同桥膜尺寸SCB的电爆特性参数25 6.2SCB等离子体温度随时间变化的关系26 6.3不同桥膜尺寸SCB的等离子体峰值温度的变化27 6.4本章小结27 结论29 致谢30 参 考 文 献31 1绪论 1.1SCB火工品简介 火工品是提供引燃、引爆或动力源的元件或装置。它是武器弹药、火箭、卫星、飞船、飞行员救生以及民用工程爆破、火药动力等装置中最初作用且最敏感的元件，其安全性和可靠性是整个应用系统安全与可靠作用的关键。在现代日益恶劣的电磁环境下，传统火工品的安全性、可靠性将受到严重的挑战。然而新型微电子火工品的问世，彻底改变了火工品的局面，并成为近年来火工领域研究的热点，尤其是其中的SCB(Semiconductor Bridge)火工品[1]。 SCB(Semiconductor Bridge，以下简称SCB)火工品一开始是指利用半导体膜做发火元件的一类电火工品，后来发展为包括金属-半导体复合膜做发火元件，并利用微