平面型24元InGaAs短波红外探测器-红外技术.PDF

第33 卷 第9 期 红 外 技 术 Vol.33 No.9 2011 年9 月 Infrared Technology Sep. 2011 平面型 24 元 InGaAs 短波红外探测器 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 邵秀梅 ，李 淘 ，邓洪海 ，程吉凤 ，陈 郁 ，唐恒敬 ，李 雪 （1.中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室，上海 200083 ； 2. 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室，上海，200083 ） 摘要 ：设计了带有保护环结构的平面型 24 ×1 InGaAs 线列短波红外探测器，利用 n-i-n ＋型 InP/In0.53Ga0.47As/InP 外延材料闭管扩散制备了平面型探测器。LBIC 测试显示光敏元没有明显扩大， 保护环起到了有效的隔离效果；I-V 测试表明器件的优值因子R 6 2 0A 约4.2 ×10 Ω·cm ，在－0.1 V 反向 偏压下的暗电流密度约22 2 nA/cm ，拟合得到的理想因子接近1，说明正向电流成分主要为扩散电流； 在室温20 ℃，器件的响应光谱在0.9～1.68 μm 波段范围，其平均峰值电流响应率为1.24 A/W ，平均 峰值探测率为3.0 ×1012 cm·Hz1/2/W ，量子效率接近95% ，响应的不均匀性为2.63% 。 关键词：InGaAs ；平面型探测器；保护环；短波红外 中图分类号：TN215 文献标识码：A 文章编号：1001-8891(2011)09-0501-04 Planar-type 24 ×1 InGaAs Short Wave Infrared Detectors SHAO Xiu-mei 1,2 ，LI Tao1,2，DENG Hong-hai1,2，CHENG Ji-feng1,2，CHEN Yu1,2，TANG Heng-jing1,2，LI Xue1,2 (1. State Key Laboratories of Transducer Technology, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China; 2. Key Laboratories of Infrared Imaging Materials and Detectors, Chinese Academy of Sciences , Shanghai 200083 , China) Abstract ：A planar-type 24 ×1 InGaAs short wave infrared detector with guard-ring structure was designed ＋ and fabricated based on n-i-n type InP/In0.53Ga0.47As/InP wafer by sealed-ampoule diffusion method. The LBIC