mos集成电路教案073.docVIP

课号 1 授课班级 微电073 授课 时间 2月16日 星期一 授课时数 2 授课单元 名称 绪论：MOS集成电路简介 1．1 MOS管的一般介绍 授课设计 主要教学知识或能力要求 集成电路的概述及其发展过程 主要教学方法 比较法：过比较两个相近知识的异同，加深对知识的理解。 图形法：通过图示来讲解物理知识。 主要教学互动点 通过数据引出集成电路的发展趋势； 启发学生回忆MOS管的结构。 采用教辅手段 多媒体 教学内容处理 本次课内容依据教学计划,按照教学大纲编写。 授课环节 引入新课 通过讨论集成电路概念引入新课 教学内容及主要板书 一、集成电路发展历程 集成电路(IC—Integrated Circuit)的概念：把多个器件及其间的连线以批加工方式同时制作在一个芯片上。 1、集成电路规模：SSI、MSI、LSI、VLSI、ULSI 2、特征线宽：微米、亚微米、深亚微米、超深亚微、纳米 3、晶圆直径：1.5吋、2吋、3吋、4吋、6吋、8吋、12吋、16吋 二、集成电路概述 1、定义：把多个器件及其间的连线以批加工方式同时制作在一个芯片上。 2、集成电路的优点：a. 高集成度b. 高速度c. 高可靠d.低成本 e. 低功耗 3、集成电路的类别 a.按结构分类 b.按功能分类 教学小结 本次课重点讲解集成电路基本概念和发展历程 课后作业 无 课后总结 课号 2 授课班级 微电073 授课 时间 2月17日 星期二 授课时数 2 授课单元 名称 MOS晶体管原理与特性 1.2 MOS管的物理基础（一） 授课设计 主要教学知识或能力要求 MOS管的结构及工作原理 主要教学方法 比较法：过比较两个相近知识的异同，加深对知识的理解。 图形法：通过图示来讲解物理知识。 启发法：通过提示的方法，发挥同学的主动性去理解问题。 主要教学互动点 对工作原理的分析。工作原理一句话:Gate 一打开, Source中的载流子就源源不断地漏到Drain中去了。 采用教辅手段 无 教学内容处理 本次课内容依据教学计划,按照教学大纲编写。 授课环节 引入新课 直接引入 教学内容及主要板书 一、MOSFET的结构 源极S B极 N沟MOSFET截面图 二、工作原理 以N沟道增强型MOS管为例：当VGSVT时，产生沟道，载流子在VDS的作用下从源区漂移到漏区，产生漏源电流IDS。随VGS的增加，沟道导电能力增强，IDS增大。 三、类型 N沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道增强型、P沟道耗尽型 四、特点 教学小结 本次课重点学习基本晶体结构，并要求学生掌握晶胞中原子的空间占有率 课后作业 无 课后总结 课号 3 授课班级 微电073 授课 时间 2月23日 星期一 授课时数 2 授课单元 名称 1.2 MOS晶体管的物理基础（二） 授课设计 主要教学知识或能力要求 一、理想MOS系统的硅表面：载流子积累、耗尽和反型 二、表面势及空间电荷区的电荷 三、MOS电容 主要教学方法 比较法：过比较两个相近知识的异同，加深对知识的理解。 图形法：通过图示来讲解物理知识。 主要教学互动点 在不同的电场情况下，半导体表面的能带弯曲情况。 讨论MOS电容的构成 采用教辅手段 无 教学内容处理 本次课内容依据教学计划,按照教学大纲编写。 授课环节 引入新课 由回忆MOS结构来引出新的课程 教学内容及主要板书 一、理想MOS系统：载流子积累、耗尽和反型 二、 表面势及空间电荷区 表面势： 空间电荷区的电荷密度： 三、MOS电容 教学小结 本次课内容主要是对MOS晶体管的物理基础的介绍， 要打好基础 课后作业 P31 1.2 课后总结 课号 4 授课班级 微电073 授课 时间 2月24日 星期二 授课时数 2 授课单元 名称 1.2 MOS晶体管的物理基础（三） 授课设计 主要教学知识或能力要求 实际MOS系统的硅表面 MOS器件的阈值电压 主要教学方法 承上启下法：根据上次课内容的知识迁移到本次课要展开的内容。 比较法：过比较两个相近知识的异同，加深对知识的理解。 图形法：通过图示来讲解物理知识。 主要教学互动点 讨论实际MOS系统的平带电压 采用教辅手段 无 教学内容处理 本次课内容依据教学计划,按照教学大纲编写。 授课环节 引入新课 教师直接引入所讲的内容。 教学内容及主要板书 四、实际MOS系统的硅表面 1、功函数差的影响 2、氧化层中有效表面态电荷的影响 五、MOS器件的阈值电压 1、平带电压： 2、理想MOS系统的阈值