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MOSFET介绍 Your company slogan in here MOSFET发展历程 大约70年代早期，主要器件位P沟道铝栅MOSFET，由于无法控制钠离子的沾污（沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害芯片成品率及电学性能的不希望有的物质。沾污经常导致有缺陷的芯片，致命缺陷是导致硅片上的芯片无法通过电学测试的原因。据估计80%的芯片电学失效是由沾污带来的缺陷引起的）， N沟道铝栅MOSFET 的阀值电压为一个很 大的负电压，为常开 型（耗尽型）器件， 很难得到增强型N沟 道MOSFET，因而应 用上受到很大限制。 MOSFET发展历程 大约70年代中期，主要器件位N沟道铝栅MOSFET，由于钠离子的沾污得到有效的控制，沟道铝栅MOSFET具有良好的性能，因而得到广泛的使用。另外，还采用对沟道进行例子注入以调节阀值电压。 MOSFET发展历程 进入80年代，主要器件为自对准多晶硅互补式金属氧化物半导体场效应晶体管器件。由于采用了自对准工艺，改善了器件的可靠性，器件之间的隔离采用了形如“鸟嘴”的二氧化硅局部氧化技术，coms器件及其技术被广泛应用，他是当今乃至今后相当长的一段时间内最主要的集成电路技术。 MOSFET发展历程 大约1990年，器件主要特点位增加一道口袋或叫做晕环离子注入（pocket or haloinplant）以控制短沟道效应，全自动对准金属硅化栅，源极漏极，减小了接触电阻，自对准工艺形成轻掺杂漏区。开始引入浅沟槽隔离技术（STI） 人类进入21世纪，器件工艺也跨入纳米时代，主要特点为阱注入为一超级陡峭的倒掺杂离子注入以抑制短沟道效应，全自动对准金属硅化镍栅，源极漏极，减小了接触电阻。 概 述 场效应管是一种利用电场效应来控制电流的半导体器件,也是一种具有正向受控作用的半导体器件。它体积小、工艺简单，器件特性便于控制，是目前制造大规模集成电路的主要有源器件。 场效应管与三极管主要区别： 场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻。 场效应管是单极型器件（三极管是双极型器件）。 场效应管受温度的影响小（只有多子漂移运动形成电流） MOS场效应管 MOS场效应管由金属、二氧化硅绝缘层、半导体构成。 管子组成： 一、N沟道增强型MOS场效应管结构 场效应管的种类 分类介绍 按工作方式分类 工作原理 1．栅源电压VGS的控制作用 当VGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的 二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。 当栅极加有电压时，若0＜VGS＜VGS(th)时，通过栅极和衬底间 的电容作用，将靠近栅极下方的P型 半导体中的空穴向下方排斥，出现了 一薄层负离子的耗尽层。耗尽层中的 少子将向表层运动，但数量有限，不 足以形成沟道，将漏极和源极沟通， 在漏、源极间流过电流ID。UGS超过UT 越大，导电能力越强，漏极电流越大。 各类场效应管的符号和特性曲线 各类场效应管的符号和特性曲线 各类场效应管的符号和特性曲线 Thank You! Your company slogan in here * 源极S→发 射极E 绝缘栅极 G→基极B 电极—金属 绝缘层—氧化物 基体—半导体 因此称之为MOS管 衬底B 绝缘栅型场效应管MOSFET 结型场效应管JFET 按结构不同分为 沟道：指载流子流通的渠道、路径。 N沟道是指以N型材料构成的区域作为载流子流通的路径。 P沟道指以P型材料构成的区域作为载流子流通的路径。 增强型MOS场效应管 耗尽型MOS场效应管 （EMOS） P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 （DMOS） 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 MOS场效应管 N沟道增强型的MOS管 P沟道增强型的MOS管 N沟道耗尽型的MOS管 P沟道耗尽型的MOS管 ?电力MOSFET主要是N沟道增强型。 L/O/G/O * * *