在扶手椅石墨烯产生边沿电子态的研究.PDFVIP

在扶手椅石墨烯產生邊沿電子態的研究 Generation of edge‐states at an armchair‐graphene  open boundary and nanoribbons 們發現施加邊緣電壓能 我 在扶手型石墨烯產生邊 緣電子態。這邊緣電子態並非 為 Tamm-like ；而且是與贗自 旋反轉有關。另外 dispersive (left): Dispersion relation of the edge-states; (Right): 能對電導產生貢獻。 Conductance of an armchair- graphene nano-ribbon 開 放 邊 界 上 邊 緣 態 的 dispersion relation ；在一 eneration  of  edge  states  at  an  armchair‐  個能帶錐極化的入射電子束而 Ggraphene boundary or nanoribbons is shown  言，贗自旋守恆與不守恆兩種 [1] by the application of an edge‐ potential. These  過程的干涉將會產生的垂直平 edge‐ states are shown to be different from the  面的贗自旋密度。扶手型帶狀 Tamm‐ like states in semiconductor: namely, that  石墨中的電導。我們也得到電 there is no threshold for the edge‐ potential in our  導單獨由邊緣態供獻的範疇， case. Our careful analysis finds that pseudospin  是圖中標示相連 6(綠色)2(藍 flipping  is  the  key  leading  to  the  edge‐  state  色 )處。 formation.  n  the  evanescent  regime,  this  two‐waves  Ifeature  leads  to  the  formation  of  the  edge‐states. We also study the gap‐opening effects  on  an  armchair‐  graphene  nanoribbon  by  the  edge‐potential. The edge‐states signatures in the  conductance of the nano‐ ribbon is also studied. It  is expected that in the regime when only edge‐  states contribute to the conductance G, G should  be more robust against disorder, such as defects or