衬底负偏压对溅射-无机材料学报.PDF

第 卷 第 期 无 机 材 料 学 报 , 年 月 , 文章编号 一 一 一 衬底 负偏 压对溅射 薄膜 晶化温度及介 电性能 的影 响 许仕 龙 , 朱满康 , 黄 安平 , 王 波 , 严 辉 北 京工 业 大 学新 型 功 能材 料 教 育部 重 点 实验 室 , 北 京 摘 磁 法 , 在 底温 为 , 入 适 的 底 偏 压 , 要 采用 控溅射 衬 度 时 通过 引 合 衬 负 获得 了结 晶 良好 的 薄膜 衬底 负偏压增强 了正 离子对衬底表 面 的轰击作用 , 加速 了其 在衬底 表面 的松 弛扩散效应 , 从而 降低 了 薄膜 的 晶化温度 , 改善 了其结 晶性 同时, 一 测试 结果表 明 衬底 负偏压进一步改善 了 薄膜 的介 电性 能 关 键 词 介 电薄膜 晶化温度 衬底 负偏 压 中图分类号 文献标识码 引言 随着 特 征尺 寸按 定律缩 小 , 结构 中使用 的介 质材 料 已到 达 它 的物理 , 限 了进 一 步 器 的要 , 电 当 究 极 为 满足 件集成度提 高 求 具有高介 常数 的薄膜成为 前材料研 的 热 点之 一