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N沟道SiC功率MOSFET特点优点应用-北京世纪金光半导体有限公司
北京世纪金光半导体有限公司 产品规格书 CGE1M090065
N沟道SiC功率MOSFET VDS 900V
I @25℃ 36A
D
RDS(on) 65mΩ
特点
低导通电阻下的高阻断电压
高速开关特性 TO-247 Package
低的开关损耗 .
低反向快速恢复二极管特性
优点
高的系统效率
低的冷却需求
高的功率密度 1. 栅极 2. 漏极 3. 源级
更高的系统开关频率
3
应用
新能源 1
电动汽车蓄电池充电器
高压DC/DC 转换器 2
电机驱动
o
最大额定值(除非另外说明，否则TC = 25 C)
参数 符号 值 单位 测试条件
漏源电压 V 900 V V =0V, I =100μA
DS GS D
栅源电压 VGS -8/18 V 绝对最大值
栅源电压 VGSop -4/15 V 推荐工作值
单脉冲雪崩耐量 E 418 mJ I =22A, V =50V
AS D DD
功率耗散 Ptot 156 W T =25oC，T = 150oC
C J
工作结温和存储温度 Tj ,Tstg -55~150 oC
北京世纪金光半导体有限公司 产品规格书 CGE1M090065
o
电气特性（除非另外说明，否则TC = 25 C）
静态特性
值
参数 符号 单位
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