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第十四章 二极管与晶体管
14.3 二极管;第十四章 二极管和晶体管;半导体的导电特性:;14.1.1 本征半导体; 价电子获得一定能量(温度增高或受光照)后,即可挣脱原子核的束缚(电子受到激发),成为自由电子,; 在外电场的作用下,有空穴的原子吸引相邻原子中的价电子来填补这个空穴,于是失去一个价电子的相邻原子的共价键中出现另一个空穴,如此继续下去,好似空穴的运动(相当于正电荷的运动)。; ①本征半导体中的载流子数目极少,其导电性能很差; ②温度愈高,载流子数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以,温度对半导体器件性能影响很大。; Si;Si;14.2 PN结及其单向导电性;内电场;PN 结变宽;14.3 二极管;阴极引线;14.3.2 伏安特性;14.3.3 主要参数;分析方法:将二极管断开;ui 5V时,二极管导通,视作短路,uo = 5V; ui 5V时,二极管截止,视作开路,uo = ui 。;14.4 稳压??极管;⒊ 主要参数;14.5 晶体管;⒈ 三极管放大的条件;集电结反偏,有少子形成的反向电流ICBO。;⒊ 各电极电流关系及电流放大作用; 用来表示晶体管各极电压和电流之间相互关系的曲线,它反映出晶体管的性能,是分析放大电路的重要依据。;正常工作情况下的发射结电压: NPN型(硅管) UBE ? 0.6~0.7V PNP型(锗管) UBE ?-0.2 ~ - 0.3V;放大区;截止区;⒈ 电流放大系数?,;⒉ 集-基极反向截止电流 ICBO;⒌ 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO;ICM; 以上所讨论的几个参数中: β和 ICBO(ICEO)是表明晶体管优劣的主要指标; ICM,U(BR)CEO和PCM都是极限参数,用来说明晶体管的使用限制。;本章作业
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