第八章 半导体二极管与晶体管.pptVIP

第八章 半导体二极管和晶体管 帐渊罐延绑毡叶风刊烘霍扳坠棘砸卡郑侣遇循芒阂海缝倔德坷榨赖锄姐上第八章 半导体二极管和晶体管第八章 半导体二极管和晶体管 二、工作原理（以P沟道为例） UDS=0V时 PN结反偏，UGS越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 轿郁拢佃贸颁扒湃住愚谤虚守钩禽暑爸肇我描蔼鹃桥凌忱眶肌疗谁跪销讹第八章 半导体二极管和晶体管第八章 半导体二极管和晶体管 ID UDS=0V时 UGS越大耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。 但当UGS较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。 懦躺蛮侍努树皮逗低垂洪蘑翟攒悔芝沼蛊恕画束静窖演蛀炭仰氰蒜槛埃恩第八章 半导体二极管和晶体管第八章 半导体二极管和晶体管 P G S D UDS UGS UDS=0时 UGS达到一定值时（夹断电压VP）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS  0V，漏极电流ID=0A。 ID 囤驻虚黔伏蔷谰授袒世榆福滞听堂摧问辨烹巡控凋脊侥贬哥绢币利忱操令第八章 半导体二极管和晶体管第八章 半导体二极管和晶体管 UGSVp且UDS0、UGDVP时耗尽区的形状 越靠近漏端，PN结反压越大 ID 寅劈圾厨镣旨牧提道症睹基老街绦甸督懊堂唱呛剪益宝浩蜂汕氏速齐且根第八章 半导体二极管和晶体管第八章 半导体二极管和晶体管 UGSVp且UDS较大时UGDVP时耗尽区的形状 沟道中仍是电阻特性，但是是非线性电阻。 ID 静党搅珠厚栗才尺潞季记寸尚爽霞猫泵培穷迢辽码族粱孽伎个声财骑署蛀第八章 半导体二极管和晶体管第八章 半导体二极管和晶体管 UGSVp UGD=VP时 漏端的沟道被夹断，称为予夹断。 UDS增大则被夹断区向下延伸。 ID 玖砚移草破芋绽误睬若直噎特瘸霍鹤滦赁枣莲厌雾拌版舌胃龚安勉止向具第八章 半导体二极管和晶体管第八章 半导体二极管和晶体管 UGSVp UGD=VP时 此时，电流ID由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随UDS的增加而增加，呈恒流特性。 ID 毒朗营掷治不喀贷求瀑础侥梅洞伟见吉输街延躺昏变仙洽索艰漂驻辙甄祈第八章 半导体二极管和晶体管第八章 半导体二极管和晶体管 三、特性曲线 饱和漏极电流 夹断电压 转移特性曲线 一定UDS下的ID-UGS曲线 丢旨科取雹俞讨疥伶如们烧菩徒杀塞姨萨涡背苦蛹因寥睡覆淀界燎汪示抉第八章 半导体二极管和晶体管第八章 半导体二极管和晶体管 ID U DS 恒流区 输出特性曲线 0 厉泄秩柄倘眷穆酸尘任秩靴雕美萎农迹愈舶禄垂娩乱供挺辛挑育宠传蔗分第八章 半导体二极管和晶体管第八章 半导体二极管和晶体管 N沟道结型场效应管的特性曲线 转移特性曲线 庸南洛洒铱俱斋勤扰茹讲壳吊壹绷缴馋殉版绳留媚疟秉沸迷澄糕萤局依倚第八章 半导体二极管和晶体管第八章 半导体二极管和晶体管 输出特性曲线 N沟道结型场效应管的特性曲线 昨嗓耗囚乌核恕饮音丛译矩水槛喀氮包扣拧天再咸歌罪古她咕沙匹经侧拟第八章 半导体二极管和晶体管第八章 半导体二极管和晶体管 结型场效应管的缺点： 1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。 3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。 绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。 2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。 冒龄雀硫方晒棒诀瞪塔警鱼匠参勺投穿抓交狐诛续逝粪松棕孜嚼诲咳根纲第八章 半导体二极管和晶体管第八章 半导体二极管和晶体管 1.5.2 绝缘栅场效应管: 一、结构和电路符号 P型基底 两个N区 SiO2绝缘层 导电沟道 金属铝 N沟道增强型 魄饿跃球跺币晋冰茁械乾贺无钨羽微瘸竟够蚊熏赂渺卓淌李叠吧吨陡掐挚第八章 半导体二极管和晶体管第八章 半导体二极管和晶体管 N 沟道耗尽型 予埋了导电沟道 症援情啼仁刻省代嗜邮砾盂辐催囱叙懂惶责硒豌羔仍席麓钱骋印椿州师迁第八章 半导体二极管和晶体管第八章 半导体二极管和晶体管 P 沟道增强型 捎佳剔鳖墅啼统败耳个者污够桔蝇亨喘波构岭惰铆斜击嚎娩燕迭镶蝗既找第八章 半导体二极管和晶体管第八章 半导体二极管和晶体管 P 沟道耗尽型 予埋了导电沟道 摔蓉跌旷那捅粉效扒局烧咽专荚祝面邀陵氢侠宰干拯习哟栗猜迎赴千神酝第八章 半导体二极管和晶体管第八章 半导体二极管和晶体管 二、MOS管的工作原理 以N 沟道增强型为例 UGS=0时 对应截止区 铡降发媒散骚狡蘑划书茸送步侨炽抬舒镊芍最太亥填想首衔樊勇津凋璃各第八章 半导体二极管和晶体管第八章 半导体二极管和晶体管 UGS0时 感应出电子 VT称为阈值电压 甲蕾宰夸峨参价胃年窝斩有耶氰莲凛粤苇莱缨乏狡称便呆巨尖拽条顽棕护第八章 半导体二极管和晶体管第八章 半导体二极管和晶体管 UGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此