纳米时代的高密度存储 nanometer era of high density storage.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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纳米时代的高密度存储 nanometer era of high density storage.pdf

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纳米时代的高密度存储 nanometer era of high density storage

第6期中国鼋；研譬研宪陛学椒 Vo1．7No．6 2012年 12月 JournalofCAEIT Dec． 2012 纳米时代的高密度存储王雄，金亮亮 (中国电子科技集团公司第52研究所，杭州 310012) 摘要：结合硬盘、固态存储和纳米存储技术的发展状况，回顾了磁存储技术发展历程，着重介绍了各硬盘厂家应对存储密度提升瓶颈而开发的HAMR、BPM、SWR、DTR等新兴磁记录技术，分析了热点固态存储缺陷点和存储密度提升前景，同时对当前存储领域研究热点的纳米管存储原理和前景进行了阐述，最后就存储技术现状及趋势提出了未来几年内存储领域的格局和纳米存储的发展重点，期望能为存储系统及信息系统技术规划提供参考。关键词：存储；磁记录；纳米管存储；纳米存储中图分类号：TP333 文献标识码：A doi：10．3969／j．issn．1673-5692．2012．06．005 NanometerEraofHighDensityStorage WANGXiong，JINLiang—liang (The52thResearchInstituteofChinaElectronicsTechnologyCorporation，Hangzhou310012，China) Abstract：Focusingontheharddisk，solidstatestorageandthenanostructuredstorageandthetrendof storagetechnology，Magneticrecordingtechnologiesarereviewed．Harddiskmanufacturersdevelopment HAMR，BPM ，SWR，DTR andotheremergingmagneticrecordingtechnologiesareintroduced，analyzes FLASH storagegdefectanddensitypromotionprospect，alsoonthestorageresearchhotspotsofthenano— tubememoryprincipleandprospectisdiscussed．Atlast．suggestiontothestorageareasinthenextfew yearsandsomepointsonthedevelopmentofnanostorageisgived． Keywords：storage；magneticrecording；nanotubestorage；nanostructured storagetechnoloyg Flash芯片起步晚，其制造加工工艺(线程)从 2001年 0 概述的150nm到目前的25nm，单片NANDFlash芯片的存储容量达到了64GBytes(MLC，Multi—LevelCel1)，信息技术的发展极大地推动了存储需求，近 30 单位容量成本大幅下降，这直接推动了100GBytes容年来，存储密度发展速度几乎是每 13个月翻一番。量的高速读写固态盘进入计算机领域。2011年英目前最成熟存储产品是硬盘和Flash芯片。特尔、三星和东芝组成联盟，将联合开发 10nm级半早在多年前，硬盘存储技术和 Flash存储技术导体产品，以生产容量更高的Flash产品，如400GB 已经涉足纳米领域，这当然不是指硬盘或 Flash芯