耐250℃高温的1200v-5a4h-sic jbs二极管 1 200 v, 5 a 4h-sic jbs working at 250 ℃.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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耐250℃高温的1200v-5a4h-sic jbs二极管 1 200 v, 5 a 4h-sic jbs working at 250 ℃

第30卷第4期固体电子学研究与进展 V01．30．No．4 2010年12月 0FSSE Dec．，2010 RESEARCHPROGRESS V一5A4H—SiC 200 耐250。C高温的1 JBS二极管倪炜江‘ 李宇柱李哲洋李赘陈辰陈效建 (南京电子器件研究所，单片集成电路和模块国家级重点实验室，南京，210016) 2010-02—25收稿，2010-03·22收改稿 200 摘要：采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管，耐压达到lV，封装的器件电流室温达到5A(正向压降2．1V)。通过在不同工作温度下对比测试显示了直流特性随工作温度的变化情况，并验 200V碳化硅JBS二极管和IXYS公司的600 证至少在250。C下依旧能正常工作。研制的l V硅快恢复二极管 (Fast recoverydiode)进行了对比：室温动态开关测试中，碳化硅二极管的反向恢复能耗比硅二极管节省92％。这是国内首次报道的250。C高温下正常工作的碳化硅JBS二极管。关键词：4H碳化硅；结势垒肖特基二极管；快恢复二极管文献标识码：A 中图分类号：TN31l+．8；TN304．054 文章编号：1000—3819(2010)04一0478一03 A at 1200V，5 4H-SiCJBS 250。C Working LIYuzhuLI LIYunCHENChenCHEN NIWeijiang Zheyang Xiaojian (National ofMonolithic CircuitsandModules， KeyLaboratory Integrated ElectronicDevices Nanfing Institute，Na,oing，210016，CHN) 200V4H—SiC barrier were andfabricat— Abstract：1 junctionSchottky(JBS)diodesdesigned were edbasedonin—houseSiC anddevice JBSdiodes andtheir epitaxy technology．SiC packaged was atroom withforward of2．1V．Aftermeasur— forwardcurrent5A