电化学沉积制备半导体CuInSe2薄膜-影像科学与光化学.PDFVIP

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2017-08-20 发布于天津
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电化学沉积制备半导体CuInSe2薄膜-影像科学与光化学.PDF

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电化学沉积制备半导体CuInSe2薄膜-影像科学与光化学

19 1 Vo1. 19 No. 1 2001 2 PHOT OGRAPHIC SCIENCE AND PHOT OCHEMISTRY Feb. , 2001 研究论文 CuInSe 2 申承民, 张校刚, 力虎林 ( , 730000) : 本文报道恒电位法在pH 为135 的Cu SO SeO In ( SO ) 溶液中, 在T i 2 4 2 2 4 3 电极上电化学沉积制备CuInSe2 纳米薄膜. 研究络合剂檬酸和酒石酸对制备 CuInSe 纳米薄膜的影响. 扫描电子显微镜( SEM) 结果表明, 加入络合剂后, 电 2 化学沉积的薄膜表面颗粒分布更均匀致密. X 射线衍射( XRD) 分析显示, 制备的CuInSe 薄膜是黄铜矿和闪锌矿相的混和物, 添加檬酸和酒石酸后, 衍射峰 2 增强, 晶形变好. 制备的薄膜颗粒尺寸大小在250 nm 左右, 造成粒度增大的原因是由于颗粒的团聚作用. : 电沉积; 半导体; 纳米薄膜 : 2001) : O 4 : A , CuInSe ( CIS) , 2 2 ( 105 eV) , ( 15%) ( 10- 5cm- 1) , [ 1- 2] . , CIS [3,4] , ( CVD) , , , . , CIS : . , [ 5- 9] . CuInSe , CuInSe 2 . , Cu , . CuInSe , CIS 2 . : : : , Email: Lihl@ 1zu. edu. cn : ( 9871013) : ( 19 - ) , , , , . 1 2 19 1 : CuSO 5H OSeO , In ( SO ) ( ) , 4 2 2 2 4 3 . : ( 9999% , ) , HF ( HF 10%) 5 min, , 240 , , . : CHI 0A Electrochemical Station System( Cordava) , T i , ( SCE) , Pt . 00 V - 10 V vs. SCE, 10 mV/ s. pH 05 mol/ L H SO 135. 2 4 : CuInSe 01 mol/ L CuSO 0. 04 mol/ L SeO 0. 1 mol/ L In 2