实验一扩展存储器读写实验1(副本).doc

实验一 扩展存储器读写实验 1 实验二 P1口输入、输出实验 4 实验三 P3口输出控制继电器实验 7 实验四 简单I/O实验（交通灯控制） 9 实验五 外部中断实验（急救车与交通灯） 13 实验六 定时器实验 17 实验七 计数器实验 20 实验八 8255输入、输出实验 23 实验九 8255扫描键盘、显示实验 26 实验十 8279显示实验 30 实验十一 8279显示电子钟实验 34 实验十二 8279键盘显示实验（电子秒表） 42 实验十三 串并转换实验 54 实验十四 单片机串行口与PC机通讯实验 57 实验十五 8251可编程串行口与PC机通讯实验 63 实验十六 8253定时/计数器实验 66 实验十七 D/A转换实验 69 实验十八 A/D转换实验 71 实验十九 并行打印机实验 74 实验二十 电子音调实验 77 实验二十一 LCD显示实验 82 实验二十二 LED点阵显示实验 88 实验二十三 FlashRom读写实验 97 实验二十四 语音芯片实验 102 实验二十五 P1口控制直流电机实验 115 实验二十六 直流电机转速测量实验 120 实验二十七 步进电机控制实验 128 实验二十八 压力测量显示实验 132 实验二十九 温度测量与显示实验 139 实验一 扩展存储器读写实验一.实验要求编制简单程序，对实验板上提供的外部存贮器（62256）进行读写操作。二.实验目的1．学习片外存储器扩展方法。2．学习数据存储器不同的读写方法。三.实验电路及连线?将P1.0接至L1。CS256连GND孔。四.实验说明1．单片机系统中，对片外存贮器的读写操作是最基本的操作。用户藉此来熟悉MCS51单片机编程的基本规则、基本指令的使用和使用本仿真实验系统调试程序的方法。用户编程可以参考示例程序和流程框图。本示例程序中对片外存贮器中一固定地址单元进行读写操作，并比较读写结果是否一致。不一致则说明读写操作不可靠或该存储器单元不可靠，程序转入出错处理代码段（本示例程序通过熄灭一个发光二极管来表示出错）。读写数据的选用，本例采用的是55（0101，0101）与AA（1010，1010）。一般采用这两个数据的读写操作就可查出数据总线的短路、断路等，在实际调试用户电路时非常有效。用户调试该程序时，可以灵活使用单步、断点和变量观察等方法，来观察程序执行的流程和各中间变量的值。2．在I状态下执行MEM1程序，对实验机数据进行读写，若L1灯亮说明RAM读写正常。3．也可进入LCA51的调试工具菜单中的对话窗口，用监控命令方式读写RAM，在I状态执行SX0000↓ 55，SPACE， 屏幕上应显示55，再键入AA，SPACE，屏幕上也应显示AA，以上过程执行效果与编程执行效果完全相同。注：SX是实验机对外部数据空间读写命令。4．本例中，62256片选接地时，存储器空间为0000~7FFFH。五.实验程序框图实验示例程序流程框图如下： 六.实验源程序：ORG 0000HLJMP STARTORG 0040HSTART:MOV SP,#60HMOV DPTR,#0000H ;置外部RAM读写地址MOV A,#55H ;测试的数据一MOV B,AMOVX @DPTR,A ;写外部RAMMOVX A,@DPTR ;读外部RAMXRL A,B ;比较读回的数据JNZ ERRORMOV A,#0AAH ;测试的数据二MOV B,AMOVX @DPTR,AMOVX A,@DPTRXRL A,BJZ PASS ;测试通过ERROR: SETB P1.0 ;测试失败,点亮LEDSJMP $PASS: CPL P1.0 ;LED状态(亮/灭)转换MOV R1,#00H ;延时DELAY: MOV R2,#00HDJNZ R2,$DJNZ R1,DELAYLJMP START ;循环测试END实验二 P1口输入、输出实验一.实验要求1.P1口做输出口，接八只发光二极管，编写程序，使发光二极管循环点亮。2.P1口做输入口，接八个扭子开关，以实验机上74LS273做输出口，编写程序读取开关状态，将此状态，在发光二极管上显示出来。二.实验目的1.学习P1口的使用方法。2.学习延时子程序的编写和使用。三.实验电路及连线实验一时，P1.0-P1.7接L1-L8。实验二时，P1.0-P1.7接K1-K8，PO0-PO7接L1-L8。CS273接8300H。四.实验说明1.P1口是准双向口。它作为输出口时与一般的双向口使用方法相同。由准双向口结构可知当P1口作为输入口时，必须先对它置高电平使内部MOS管截止。因为内部上拉电阻阻值是20KΩ~40KΩ，故不会