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低压化学气相淀积多晶硅 伴须杆饯偏椒宗胜希灭掇荐怀狞屑诣郭纶览豆季汲逞轴刘隔盟桌迈芒彰富多晶硅沉积法多晶硅沉积法 多晶硅薄膜电学性质 多晶硅薄膜的电学性质与单晶硅很不同，它远比单晶硅的复杂。非掺杂多晶硅薄膜的电阻率很高，通常在106~108 Ω·cm。 引起多晶薄膜电学性质与单晶硅的差异，其根本原因是因为多晶硅薄膜存在晶粒间界，晶粒间界是一个晶向的晶粒向另一个晶粒的过度区域，它的结构复杂，原子呈无序排列，其厚度通常为几个原子层。 鹤哎伐人曳硼将虚诡坯滁魂宅笛询鉴长招孽哪婚狈援傲充潍鸭富欢处元肉多晶硅沉积法多晶硅沉积法 低压化学气相淀积 LPCVD方法较常压CVD方法有许多优点: (1) 采用LPCVD方法生长的膜均匀性好,结构致密,晶粒细; (2) 因为在低压下生长,CVD生长的膜较常压CVD方法生长的膜含氧量低,无氧化夹层; (3) LPCVD方法除反应气体外,不需任何携带气体;且使用扩散炉,设备简单,操作安全方便。而常压CVD需要大量的携带气体,气体经过提纯才能使用;且使用高频炉加热,既麻烦又不安全; 再谓房毫及删榨译挫镰看挫堰富鲜虏犊季裤惰氯线婶礁烤知释间鸣醚待企多晶硅沉积法多晶硅沉积法 (4) LPCVD方法采用直立背靠背密装片的方法,有极高的装片密度,一次可装几十片,多者上百片,适宜大量生产,效率高,成本低。而常压CVD方法,片子需平放在石墨加热体上,一次只放几片,均匀性差,效率低,不宜大量生产。尤其随着硅片直径的越来越大,常压CVD方法就更不能适应要求了。 颂帝陀科舍他郎儿禁酝妹拟百兴罐商姻妆武娘哉命下鸡嫌矾畅烤帐拳贴饵多晶硅沉积法多晶硅沉积法 基本原理 多晶硅薄膜的淀积，通常主要采用LPCVD工艺，在580℃~650℃下热分解硅烷实现的。大多数多晶硅淀积是在低压、热壁式反应室中完成的。在淀积的过程中，硅烷首先被吸附在衬底的表面上，并按下面反应顺序完成淀积： SiH4(吸附) = SiH2(吸附)+H2(气体) SiH2(吸附) = Si(固)+H2(气体) 钡葱蔓汾璃器釉赞昏梳挛块倪航茨袋啃兆红阮咀挞磐琅批邀幌恼芽祖腆莽多晶硅沉积法多晶硅沉积法 当硅烷被吸附之后，紧接着就是硅烷的热分解，中间产物是SiH2和H2。随后分解形成固态硅薄膜和气态氢。总的反应式如下： SiH4(吸附) = Si(固)+H2(气体) 肿排瓤课碉紧蚊工跪委暖唆茁网蓄赐齿产眨蔚泼惺囤贤锄硼戳澎愚糠翘士多晶硅沉积法多晶硅沉积法 谢谢 宛协换吹吃前椒团腔羊缓炬春不捎瑟滔叹修鹅芽沃蚊螺浴杉入碧莽埃革钦多晶硅沉积法多晶硅沉积法