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缓冲层对氮化镓二维生长的影响

第 卷第 期 功能材料与器件学报 a ’ ^F1? a- 9F? ’ ’##’ 年 月 , cBK.9:N B/ /K9XHB9:N 5:7.H:NQ :9 7^HX7Q cLIP- ’##’ 文章编号! ##$ % ’(’ ) ’##’ * #’ % # ++ % #, 缓冲层对氮化镓二维生长的影响 赵智彪 齐 鸣 朱福英 李爱珍 - - - ) 中国科学院信息功能材料国家重点实验室, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海’###(# ) ( ) ( ) ( ) 摘要:报道了在射频等离子体 ./ % 012342 辅助的分子束外延 567 技术中,使用白宝石 ### 衬 ( ) ( ) 底,采用低温缓冲层工艺外延氮化镓 829 。通过原子力显微镜 :/5 的表面形貌比较及; 射线双 晶衍射 ( ) 扫描摇摆曲线的分析,讨论了低温缓冲层成核机理及缓冲层生长温度与形成准二维 ;. ! 生长的关系,确立了缓冲层的三维成核、准二维生长的生长机理,并在此基础上实现了氮化镓外延 层更好地二维生长,进一步提高了氮化镓外延层的晶体质量。 关键词:氮化镓 分子束外延 原子力显微镜 射线衍射分析 缓冲层 = ./ % 012342 = = ; = 中图分类号! 9+#? ’ 文献标识码! : !#$%’ (# )* +%##, $-., ( /-0 )1( 2 34564( 7,(1)* +. 89 2 :$-65- ;= @A:B @CD % ED2F- GH 5DIJ- @AK /L % MDIJ- NH :D % OCPI ) QR2RP SPM N2EFT2RFTM FU /LIVRDFI21 52RPTD213 UFT HIUFT42RDV3- QC2IJC2D HI3RDRLRP FU 5DVTF3M3RP4 2IW HIUFT42RDFI PVCIF1FJM- XCDIP3P :V2WP4M FU QVDPIVP3- QC2IJC2D ’###(#- XCDI2 * : ) * ) * +6),-’) ADJC YL21DRM J211DL4 IDRTDWP 829 FI 32ZZCDTP ### [23 FER2DIPW EM L3DIJ ./ % 012342 567? NF[ RP4ZPT2RLTP ELUUPT 12MPT [23 \PTM D4ZFTR2IR UFT 829 R[F % WD4PI3DFI JTF[RC? CP DIU1LPIVP FU ELUUPT 12MPT FI UFT4DIJ YL23D % R[F % WD4PI3DFI JTF[RC [23 DI\P3RDJ2RPW EM L3DIJ 2R

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