微波反射光电导衰减法测量ingaas 吸收层的均匀性 uniformity measurement of ingaas absorbing layer by μ-pcd.pdfVIP

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2017-08-18 发布于上海
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微波反射光电导衰减法测量ingaas 吸收层的均匀性 uniformity measurement of ingaas absorbing layer by μ-pcd.pdf

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微波反射光电导衰减法测量ingaas 吸收层的均匀性 uniformity measurement of ingaas absorbing layer by μ-pcd

2006 年10 月第27 卷第5 期吕衍秋等：微波反射光电导衰减法测量IngaAs 吸收层的均匀性《半导体光电》材料、结构及工艺微波反射光电导衰减法测量IngaAs 吸收层的均匀性 1，2 1 1，2 1，2 1 1 吕衍秋，王妮丽，庄春泉，韩冰，李向阳，龚海梅（1. 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室，上海200083 ；2. 中国科学院研究生院，北京100039 ）摘要：外延材料的均匀性对制备大型线列和二维面阵焦平面阵列（FPA ）探测器非常重要。用微波反射光电导衰减法（-PCD ）分别在300 K 和85 K 温度下测量了用分子束外延技术生长的 ! p-InP/ n-IngaAs/ n-InP 双异质结中掺杂IngaAs 吸收层的载流子寿命分布图，并详细论述了这种测试技术的理论基础。在300 K 和85 K 时，平均寿命分别为 168. 2 ns 和 149 . 4 ns ，结果与 ZnS/ n-IngaAs/ n-InP 的基本一致。寿命变温曲线表明，中等掺杂IngaAs 载流子寿命在低温下变化较小。 -PCD 法可以非接触无损伤快速测量p-InP/ n-IngaAs/ n-InP 双异质结中IngaAs 的寿命图，对 ! 于表征IngaAs 吸收层的均匀性有潜在的应用，这对研制均匀性良好的IngaAs 焦平面探测器非常重要。关键词：均匀性；IngaAs ；载流子寿命；焦平面阵列； -PCD 技术 ! 中图分类号：TN21 文献标识码：A 文章编号：100 1 - 5868（2006 ）05 - 0551 - 05 Uniformity Measurement of IngaAs Absorbing Layer by -PCD ! LV Yan-giu1，2 ，WANg Ni-Ii1 ，ZHUANg Chun-guan1，2 ，HAN Bing1，2 ，LI Xiang-yang1 ，gONg Hai-mei1 （1. State Key Laboratory of Transducer Technology ，Shanghai Institute of Technical Physics ，Chinese Academy of Sciences ，Shanghai 200083 ，CHN ；2. graduate School of the Chinese Academy of Sciences ，Beijing 100039 ，CHN ） Abstract ： The uniformity of the epitaxiaI materiaIs is very important to make Iarge Iinear and two-dimensionaI focaI pIane arrays detectors. Carrier Iifetime maps and distributions of doped n- IngaAs absorbing Iayer in MBE -grown p -InP/ n-IngaAs/ n-InP doubIe-heterostructure （DH ）have been measured at 30 0 and 85 K using the micro