涂覆rtv对瓷绝缘子盐密和灰密影响的对比观测 contrast observation on the influence of esdd and nsdd of porcelain insulator with rtv.pdfVIP

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2017-08-18 发布于上海
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涂覆rtv对瓷绝缘子盐密和灰密影响的对比观测 contrast observation on the influence of esdd and nsdd of porcelain insulator with rtv.pdf

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涂覆rtv对瓷绝缘子盐密和灰密影响的对比观测 contrast observation on the influence of esdd and nsdd of porcelain insulator with rtv

高电压技术第 38卷第 4期 2012年 4月 30日 HighVoltageEngineering，Vo1．38，No．4，April30，2O12 847 涂覆 RTV对瓷绝缘子盐密和灰密影响的对比观测王康，王建国，江健武，赵灵，方春华，段绍辉 (1．武汉大学电气工程学院，武汉430072；2．广东电网公司深圳供电局，深圳 518001) 摘要：绝缘子盐密和灰密值是污区分级和外绝缘配置的基础，各地污区分级观测绝缘子往往以XP一70瓷绝缘子为观测绝缘子，涂覆室温硫化硅橡胶(RTV)涂料对绝缘子积污特性的影响是一个值得关心的问题。因而选择深圳地区 54处代表性的输电杆塔进行涂覆 RTV与未涂覆 RTV 的XP一70绝缘子不带电挂样观测对比，测量了积污期为 2a的绝缘子盐密、灰密和灰密盐密比，对比了涂覆 RTV与未涂覆 RTV线路绝缘子上表面、下表面与单片均值积污规律的差别。结果表明：涂覆 RTV的绝缘子与末涂 RTV的XP一70绝缘子相比，上表面盐密值增加约 1倍，下表面盐密值、单片盐密均值增加约 2倍，上表面灰密值增加约 2倍，下表面灰密值、单片灰密均值增加约 3倍，涂覆 RTV 的XP一70绝缘子灰密盐密比大于未涂覆 RTV绝缘子的灰密盐密比。污秽外绝缘配置时在注意到涂覆 RTV 对绝缘子污闪电压大幅提高的同时，也应注意到涂覆 RTV对绝缘子积污特性的影响。关键词：RTV涂料；XP一70绝缘子；盐密；灰密；灰密盐密比；外绝缘配置 DoI：10．3969／j．issn．1003—6520．2012．04．011 文章编号：1003—6520(2012)04—0847-08 ContrastObservation on theInfluenceofESDD andNSDD of Porcelain InsulatorwithRTV WANG Kang ，W ANGJianguo ，JIANG Jianwu ，ZHAO Ling。，FANG Chunhua ，DUAN Shaohui。 (1．SchoolofElectricalEngineering，W uhanUniversity，W uhan430072，China； 2．ShenzhenPowerSupplyBureau。GuangdongPowerGridCorporation，Shenzhen518001，China) Abstract：Equivalentsaltdepositdensity (ESDD)andnonsolubledepositdensity (NSDD)arethebasicdatafor outer—insulationcoordinationandpollution distribution classification．XP一70 isusually selectedasan observation insulatorforpollutiondistributionclassification inChina．Weselected54 transmission towersrepresentingtypical distributionofShenzhencityasthecontrastobservationpositionsforXP一70inthepresenceandabsenceofcoated room-temperaturevulcanizedsiliconerubber(RTV)，thenwemeasuredESDD，NSDD，andtheratioofNSDD to ESDD ofXP一70 insulatorwith2yearscontam inationtime．andcompared thedifferencesofnaturalcontamination characteristicsofXP一70insulatorsin thepresenceandabsenceofcoatedRTV．T