透明导电zno：sn薄膜光学和电学性能的研究进展 recent advances of optical and electrical properties of transparent conductive zno：sn films.pdfVIP

《半导体光 电~2012年 2月第 33卷第 1期 谌 夏 等： 透明导电ZnO：Sn薄膜光学和 电学性能的研究进展 透明导电ZnO：Sn薄膜光学和电学性能的研究进展 谌 夏 ，方 亮 ，吴 芳 ，阮海波 ，魏文猴 ，黄秋柳 (1．重庆理工大学 材料科学与工程学院。重庆 400054；2．重庆大学 应用物理系。重庆 401331) 摘 要 ： 纯Zn0 电阻率高，电学性能不稳定，通过掺杂其他元素提高其光 电性能，制备 出高 质量的ZnO薄膜是实现其应用的关键。文章从制备方法、掺杂浓度和退火等方面综述了Sn掺杂 ZnO(ZnO：Sn)薄膜光电性能的研究进展，提出了降低 ZnO：Sn薄膜 电阻率和提高透光率的有效 途 径 。 关键词： 宽禁带半导体材料 ；ZnO ：Sn薄膜 ；光学性质；电学性质 中图分类号 ：0484．47 文献标识码 ：A 文章编号：1001—5868(2012)01—0001--06 RecentAdvancesofOpticalandElectricalPropertiesofTransparentConductiveZno ：SnFilms CHEN Xia ，FANG Liang。，WU Fang。，RUAN Haibo ，W EIWenhou。，HUANG Qiuliu (1．CollegeofMaterialSei．andEng．，ChongqingUniversityofTechnology，Chongqing，400054，CHN； 2．DepartmentofAppliedPhysics，ChongqingUniversity，Chongqing401331，CHN) Abstract： Pure ZnO film exhibits high resistivity， electricalproperties performance instability，thereby，how toenhanceitselectricalandopticalpropertiesbydopingisakeyforits application．In thepaper，therecentprogressofthestudiesonSn—dopedZnO (ZnO ：Sn)thin filmsbased on the factorssuch astheprepreparation methods，doped concentration，growth conditionsandannealingtoaffecttheopto-electricalpropertiesofthefilmsaresummarized．The waystodecreasetheresistivityand enhancethetransmittanceofZnO ：Sn thinfilm areput forward． Keywords： widebandgap semiconductive material；ZnO ：Sn film ；opticalproperties； electricalproperties O 引言 法[10-11]、脉冲激光沉积 。引、喷涂热分解[14-15]、磁控 溅射[ 和蒸镀法[埔等 。 ZnO是具有六角纤锌矿结构 的直接宽带隙 Ⅱ一 由于纯 ZnO的电学性能不稳定 ，因此会选择掺 Ⅵ族化合物半导体，其室温禁带宽度达 3．37eV，激 杂一些别的元素来 改变它的性 能，如 Ⅲ族元素 子结合能高达 60meV，在可见光范 围内透光率高、 A1[引、Ga[ 、In[ 和Ⅳ族元素 Si[19和 Sn[。等。选 电阻率低 ，在紫外探测器、透 明电极、气敏传感器、表 择 Sn元素是因为它能提高 ZnO 的导 电性 。当Sn 面声波器件、光 电器件、太 阳电池等方面应用广 掺杂