铜线键合cual界面金属间化合物微结构研究 properties of cu-ai intermetallic compounds in copper wire bonding.pdfVIP

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2017-08-18 发布于上海
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铜线键合cual界面金属间化合物微结构研究 properties of cu-ai intermetallic compounds in copper wire bonding.pdf

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铜线键合cual界面金属间化合物微结构研究 properties of cu-ai intermetallic compounds in copper wire bonding

10.3969/j.issn.1003-353x.2011.11.015 铜线键合Cu/Al界面金属间化合物微结构研究刘兴杰1 张滨海1 王德峻2 从羽奇2 王家楫1 1.复旦大学材料科学系，上海200433；2.日月光封装测试有限公司，上海201203 摘要：由于铜线具有较高的热导率、卓越的电学性能以及较低的成本，被普遍认为将逐渐代替传统的金线而在IC封装的键合工艺中得到广泛的应用。铜线键合工艺中Cu/Al界面金属间化合物(IMC)与金线键合的Au/AlIMC生长情况有很大差别，本文针对球焊键合中键合点的Cu/Al界面，将金属间化合物生长理论与分析手段相结合，研究了Cu/A1界面IMC的生长行为及其微结构。文中采用SEM测试方法，观察了 IMC的形貌特点，测量并得到了IMC厚度平方正比于热处理时间的关系，计算得到了生长速率和活化能数值，并采用TEM，EDS等测试手段，进一步研究了IMC界面的微结构、成分分布及其金相结构。封装；铜线键合；微结构；金属间化合物；扩散 TN305.96 A 1003-353X (2011) 11-0880-05 PropertiesofCu-AIIntermetallicCompoundsinCopperWireBonding LiuXingjie ZhangBinhai WangDeiun CongYuqi WangJiaji ：i洲 2011年11月 8：83 @@[3]KHOURYSL,BURKHARDJD,GALLOWAYPD,etal. Acomparison ofcopperand gold wire bondingon integratedcircuit devices [J]. IEEE Transaction on Components, Hybrids, andManufacturingTechnology, 1990,13(4):673-681. @@[4]徐慧.铜及金丝与铝合金焊盘键合的金属间化合物生长和可靠性[D].哈尔滨：哈尔滨工业大学，2006:35-54. @@[5]WESTBROOKJ H, FLEISCHER R L. Intermetallie compounds[M]. Chichester:JohnWileySonsLtd, 1994:227. @@[6]冯端.凝聚态物理学丛书：金属物理学第一卷结构与缺陷[M].北京：科学出版社，1987:493-497. @@[7]KRZANOWSKIJE. Atransmissionelectronmicroscopy