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2017-08-16 发布于天津
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Semiconductor Manufacturing Basic 光刻 (2) 第四章光刻 (2) 《半导体制造》 Semiconductor Manufacturing Basic 光刻 (2) 浸入式光刻的原理和效果 ArF浸入式光刻缩小透镜分辨率液回收液供给 ○ 波长：134nm的效果（折射率1.44的场合）工件台焦深 ○ 常规光刻的延伸浸入式介质扫描方向晶圆 ○ 主要课题介质 ● ArF干式光刻　高NA曝光设备 KrF浸入式光刻 ● 　浸没液内的气泡 F 干式光刻 2 ● 　缺陷 ArF浸入式光刻 F2浸入式光刻 PFPE：全氟聚醚 175 176 浸入式光刻的效果焦深(以前的常规NA透镜+干式曝光) 干式浸入式以前的常规NA透镜浸入式中光进入光刻胶的入射角更锐 →焦深增加干式浸入式焦深小浸入式中更有可能高NA透镜成像 →高分辨率光刻胶 177 178