模拟电子技术_放大电路分析-放大电路三种组态的比较.pptVIP

4.7.4 多极放大电路的频率响应 1. 多级放大电路的增益 ? 前级的开路电压是下级的信号源电压 ? 前级的输出阻抗是下级的信号源阻抗 ? 下级的输入阻抗是前级的负载 4.7.4 多极放大电路的频率响应 2. 多级放大电路的频率响应 ? 多级放大电路的通频带比 它的任何一级都窄 （以两级为例） 则单级的上下限频率处的增益为 当两级增益和频带均相同时， 两级的增益为 即两级的带宽小于单级带宽 end 例题 解： 模型参数为 设共射放大电路在室温下运行，其参数为： 试计算它的低频电压增益和上限频率。 . = usm A 低频电压增益为 又因为 所以上限频率为 = usm A lg 20 计算时折合为fβ ) ( 2 1 c b e b e b C C r f + = p b 自测.题 作业：4.7.2；4.7.3 * 1. 从物理意义上解释低通电路 2. 稳态分析方法 3. 增益与传递函数 4. 复数的模与相角 * * * 1. 中频段等效电路 4.7.2 单极放大电路的低频响应 2. 低频等效电路 4.7.2 单极放大电路的低频响应 . 低频响应 按图3.7.13参数计算 中频增益，对于Rb作了近似处理 当 则 下限频率取决于 即 4.7.3 单极放大电路的高频响应 3. BJT的高频小信号建模 ①模型的引出 rbe---发射结电阻re归算到基极回路的电阻 ---发射结电容 ---集电结电阻 ---集电结电容 rbb ---基区的体电阻，b是假想的基区内的一个点。 互导 BJT的高频小信号物理模型 混合π型高频小信号模型是通过三极管的物理模型而建立的。 ---发射结电容， ---集电结电阻 ---集电结电容 rbb ---基区的体电阻，b是假想的基区内的一个点。 三极管的物理模型 1.BJT的混合π型模型-高频小信号模型 --- 发射结电阻 r e （1）物理模型 根据这一物理模型可以画出混合π型高频小信号模型。 高频混合π型小信号模型电路 这一模型中用 代替 ，这是因为β本身就与频率有关，而gm与频率无关。 （2）用 代替 （Cμ） （Cπ） rb’c很大，可以忽略。 rce很大，也可以忽略。 （3）简化的混合π模型 将Cμ等效到输入端，条件是流过电容器Cμ的电流不变。 从输出端等效Cμ？ 合并电容 很小 4.7.3 单极放大电路的高频响应 3. BJT的高频小信号建模 ②模型简化 # 为什么用 能反映频率对受控源的影响？ 混合?型高频小信号模型 又因为 所以 ③模型参数的获得 （与H参数的关系） 3. BJT的高频小信号建模 低频时，混合?模型与H参数模型等效 所以 又 rbe= rb + (1+ ? ) re 从手册中查出 ④?的频率响应 由H参数可知 1. BJT的高频小信号建模 即 根据混合?模型得 低频时 所以 当 时， ——共发射极截止频率 ④?的频率响应 3. BJT的高频小信号建模 ?的幅频响应 令 则 ——特征频率 ——共基极截止频率 当β=1时对应的频率称为 特征频率fT，且有fT≈β0f? 当20lgβ下降3dB时,频率f? 称为共发射极接法的截止频率 3. BJT的频率参数fβ、fT 由β定义： 由可求出共射接法交流电流放大系数。 μ π e b e b b )] ( + ) / 1 [( C C j r V I + = w . . e b m c V g I = . . . ) ( 2 1 c b e b C C Rb’e f + = p b ：共射截止频率, 一般fβ与Cb’c已知，通过此式可求C b’e即Cπ = Cπ 1 f b 2 e b r p c b C 1 ) ( 1 0 c b e b e b e b m f j C C r j r g + = + + b w b = f b . 0 b c ce = = V I I b . . . 约去V b’e，分母通分 做出β的幅频特性和相频特性曲线。 三极管β的幅频特性和相频特性曲线 当β=1时对应的频率称为 特征频率fT，且有fT≈β0f? 当20lgβ下降3dB时,频率f? 称为共发射极接法的截止频率 低频时，混合?模型与H参数模型等效 所以 又 rbe= rb + (1+ ? ) re ⑤. 混合π参数 的估算 又因为 所以 bo ：低频电流放大系数 m g e b b e b   ≈ r I